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DDR5内存超频(电压、小参、阻值)走上高手之路

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本贴的主要目的,在于教会小白、只会抄作业、拥有非常多经验但心里没底的道友们电压和小参如何去设置。让你在内存超频的路上更有思路可循,能让你Zentiming让其他懂行的人一看到,会下意识认为你是一个大佬(不论真假)。
本帖不帮任何人超频,太累了。请自行学习和互相帮助。
摘要:本贴只教同频、分频内存超频电压(VDD、VDDQ、SOC(包含fclk设置)、VDDIO如何设置)及其安全范围,主要小参(第一时序、tRC、tWR、tREFI、tRFC1、tRRDS\L,tRWTRS\L,tFAW)如何去设置,其它小参都不重要,对于tRRDS\L,tRWTRS\L,tFAW我想说,也不太重要。进一步,会有高阶玩法,包括如何稳定IF总线、如何调整阻值(适用于技嘉超级雕和xtreme系列,技嘉其它主板比如电竞雕可能适用)。
目录:
一、电压安全范围
二、电压设置
三、时序和小参
四、极限超频时,如何加强IF稳定性和信号完整性
五、高阶调试改善信号完整性
六、如何验证内存超频稳定性


IP属地:广东来自Android客户端1楼2025-03-23 23:34回复
    二、电压设置
    基本要素:
    1.压时序非常吃内存电压(VDD和VDDQ)。
    2.提升频率非常吃IMC体质,建议不要强求。
    3.请充分意识到,并不是频率越高,时序越低,同时还能过测,你的游戏帧数就是高的。
    4.以下所有电压,以电压控制最稳健的技嘉为例。华硕和微星请适当降低电压。
    6000c28同频:VDDIO 1.35(可以无脑,就算你能压到1.25或1.3,也没必要),VDD和VDDQ≤ 1.4v(c28 可以无脑1.4)。
    6200c28同频:VDDIO 1.35(双面颗粒考虑1.4v),VDD和VDDQ≤ 1.4v(双面颗粒可以1.45v)。
    6400c30同频:VDDIO 1.4-1.45(通常1.4v就是足够的,双面颗粒考虑1.45v),VDD和VDDQ大约 1.45-1.5v。C28考虑1.5-1.55v。
    6600同频:请勿强求。
    8000c36分频(单面颗粒):VDDIO 1.35-1.4v,VDD和VDDQ通常在1.45-1.5v之间。
    8000c34分频(单面颗粒):VDDIO 1.35-1.4v,VDD和VDDQ通常在1.5-1.55v之间。
    8400c36分频(单面颗粒):VDDIO 1.45v左右,VDD和VDDQ通常在1.55v甚至更高。
    9000c48分频:贴吧里有850电竞雕达成的记录,请自行查看。VDDIO 1.45v,VDD和VDDQ 1.55v。
    9200c46分频(24*2,技嘉xtreme,9600开机即蓝):VDDIO 1.45v,VDD和VDDQ 1.58v。
    ***至此,你可以看到规律,VDDIO在1.35-1.45之间做选择就行了,VDD和VDDQ随着压时序和频率的提升,可以以0.05v为单位增加。
    SOC:fclk越大,SOC越高(6000c28 fclk2000,你的soc可能只需要1.11-1.17,但我希望你能给足1.2v,如果你摸到了极限值,可能+0.03到0.05)。
    经常有人说“同频状态下,fclk是频率/3;分频状态下,fclk是频率/4”,这其实不是理论公式,而是过去“保底”的经验公式。因为AMD的IF(Infinity Fabric)永远是小水管,只要硬件体质达标,fclk是越高越好的。在9000系,fclk似乎保底2067-2133都是可以的,同频状态下,fclk 2133可以无脑1.25v,这也是我推荐的fclk值和电压,如果稳不住请减少fclk或增加soc。
    Fclk 2200普遍会有止步不前或倒吸现象(这是IF稳定性不够,通常使用超越缓存的测试项目,如PRIME95 AVX2 Huge或Heavy项目,你会发现大量WHEA错误)。至此,我建议不要2200,不要2200,不要2200。如果你是极限超频党,请从VDDG for IO、VDDG for CCD、PBO2负压情况、开启LN2模式超过1.3v的SOC来寻找答案。后果自负!后果自负!后果自负!


    IP属地:广东来自Android客户端5楼2025-03-23 23:39
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      2025-05-20 22:23:59
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      三、时序和小参
      前言:这一节是大家最关注的。首先,开启expo后,时序我建议,只需要修改第一时序、tRC、tWR、tREFI、tRFC1。其它都不需要改动,非要改,可以改动tRRDS、tRRDL、tWTRS、tWTRL和tFAW,但是通常没什么作用,可以自行尝试。
      这儿我不阐述原理,自行查阅,我直接给结果怎么快速设置。
      第一时序设置
      tCL:你想要c28就给28,想要c30就30,这个是最吃内存电压的。
      对于后面三项tRCD、tRP和tRAS,我想说:随便给!
      对于同频6000-6600,就36-36-36,37-37-37,38-38-38,39-39-39。你是不是觉得我很水?我也这么觉得(自己跟自己乐上了)。对于tRAS,遵循tCL + tRCD + 2~4即可,比如36-36-74~76。但是你直接给36-36-36一般没啥事,别纠结。按tCL + tRCD + 2~4来是最好的。
      对于分频8000+,tCL要c34就34,36就36,对于后三项46-46-94,47-47-96,48-48-98。
      是不是很简单?就这么简单- -。。。并且我想告诉你的是28-36-36-36和28-38-38-80,你可能会发现测不出区别(没错,就是这样)所以这几个时序别纠结,对于极限超频时,时序的不标准导致的错误可能还不利于你排查问题
      后续小参设置
      tRC:无脑给tRP+tRAS,比如你是28-36-36-36,那tRC就给72。不需要纠结。
      tWR:无脑48。天王老子来了都无脑48。
      tREFI:无脑65535。天王老子来了都无脑65535。极限超频(需要调整信号完整性超频),可以尝试改成65528(经验值)。这主板厂有一个公式,内存厂有一个公式,听谁说都没意思,不耐温就降低。非要公式,那就:内存频率×CPU刷新率/2000。AMD刷新率为3900,Intel为1950。
      tRFC1:我一般看别人是不是有点水平,第一眼就看这个。(你小参可以瞎给,我有时候也瞎给,但你好歹tRFC延迟至少是个整数啊!)公式:内存频率*tRFC延迟/2000。尝试:单面Adie颗粒tRFC延迟120ns~160ns。Mdie:160~170ns。双面3G Mdie:170ns~200ns。个人建议:随便给个就行了,你会发现tRFC1对实际读写速度的影响很小,别纠结。给个整数好看点,显得你专业。
      tRRDS和tWTRS:建议8,要压就6,不建议更低。你会发现狂压没区别。
      tRRDL和tWTRL:建议16,要压就12,不建议更低。你会发现狂压没区别。
      tFAW:≥ 4* tRRDS。也就是tRRDS是8,那tFAW就32,tRRDS给6,tFAW就24,建议28。你会发现狂压没区别。
      综上:如果你看到其它什么主播、自诩超频牛逼的人,小参一溜串让你一个个填。不要怀疑,这就是个不懂装懂的人。真正会超的,就改第一时序、tRC、tWR、tREFI、tRFC1。


      IP属地:广东来自Android客户端6楼2025-03-23 23:40
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        四、极限超频时,如何加强IF稳定性和信号完整性
        在超频过程中,IF稳定性和信号完整性是强相关的,但:IF稳定性 ≠ 纯内存问题。IF稳定性与CCD电压、单核体质、信号完整性强相关,甚至可能出现“内存超频错误需调整核心电压”的反直觉情况。
        你需要知道:IF稳定性和信号完整性不是只有IF和内存的事儿,它们与CCD(甚至到单个核心)密切相关,出现错误,甚至可以减少负压(增加CCD电压)得到解决。极限超频时,PBO2分核负压是最好的解决方案。这个模块我很难给出标准的排查方法,需要你一个个去尝试。
        以下列举几个例子:
        1.错误可以通过corecycler PRIME95模式调用AVX2指令集(通常足够),测试超越缓存的容量,如Huge、Heavy来排查哪个核心有WHEA错误。如corecycler报错发现:core6出现WHEA错误,而core6你给的-40负压,现在可以尝试-30,还报错就-25,然后就会发现问题得到解决。内存超频稳固。
        2.开机就蓝屏,测试刚点就蓝屏。减少全部负压都无效。尝试(选择性尝试,我也不知道哪个或哪些组合会有效): scalar给10x,增加soc和vddio,减少fclk,增加VDDG for IOD和VDDG for CCD(通常需要1.05v及以上,烧毁自负),增加VDDP至1.05甚至1.15v(烧毁自负)。


        IP属地:广东来自Android客户端7楼2025-03-23 23:40
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          五、高阶调试改善信号完整性:
          由于不同主板布线、电气性能和诸多说不清道不明的地方,阻值调试是没有标准答案和作业的,并且这是一个巨大的工作量。对于华硕和微星的不同主板,原理类似(请下面查看),但难度可能较高。而技嘉可能更容易调整,因为技嘉本身就参数给的很保守。
          对于技嘉超级雕和xtreme系列,想要48*4同频6000c28以上的,想要分频超频8600以上的,请作如下尝试:
          第一套(48*4同频6000c28):ProcOdt(pu/pd) = 48Ω/53.3Ω或60Ω ProcCaDs = 30Ω ProcDqDs = 34.3Ω DramDqDs = 34Ω RttNomWr = RZQ/4 (60) RttNomRd = RZQ/4 (60) RttWt = RZQ/2 (120) RttPark = RZQ/5 (48) RttParkDqs = RZQ/5 (48)
          第二套(我个人48*2上7800c36 fclk2000和7600c34 fclk2133的超频记录,主板x670e超级雕):ProcOdt(pu/pd) = 36Ω/53.3Ω ProcCaDs = 30Ω ProcDqDs = 34.3Ω DramDqDs = 34Ω RttNomWr = RZQ/6 (40) RttNomRd = RZQ/6 (40) RttWt = RZQ/2 (120) RttPark = RZQ/5 (48)或RZQ/6 (40) RttParkDqs = RZQ/7 (34)
          总结:在同频超频时,由于频率低,调整信号完整性的主要方式是“防止过冲”,请增加ProcOdt端阻值;分频超频时,频率高,调整信号完整性的主要方式是“增加信号强度”,请降低ProcOdt端阻值和内存端所有阻值。所有阻值不能高也不能低,差一档结果可能千差万别。
          修改阻值,重要的四点,这能够提示你应该增加阻值还是降低阻值:1. ProcOdt (pu/pd)提高信号完整性,需要信号足够强,且抑制过冲。 2. RttNom (Wr/Rd)平衡终端阻值。3. RttPark (Dram)降低空闲状态噪声。 4. ProcCa/ProcDq Drive增强驱动强度。 5. 重要:增加VDDP电压补偿PHY层信号衰减。


          IP属地:广东来自Android客户端8楼2025-03-23 23:41
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            六、如何判断内存超频稳定性?
            每个人有不同的标准,对于我来说,标准是:TM5 extreme过测3轮(我的48*2通常测试时间在2h48min)、过测yc019、过测yc VT3项目20轮。由于我个人电脑还用于高性能数据处理,我额外增加项目:corecycler PRIME95模式AVX2指令集Huge缓存,每核心测试时间auto(约37-48min每核心),9950x总测试时长约12h40min。
            Enjoy it!


            IP属地:广东来自Android客户端9楼2025-03-23 23:41
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              火钳刘明


              IP属地:广东来自Android客户端10楼2025-03-23 23:53
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                直接点赞加收藏,来学习大佬的技术了


                IP属地:北京来自iPhone客户端11楼2025-03-23 23:58
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                  2025-05-20 22:17:59
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                  IP属地:安徽来自Android客户端12楼2025-03-24 00:17
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                    太长了,看得头痛,直接给我个作业吧,cpu 9950x,主板电竞雕,内存宏碁ht200 32gx2 6000c30海力士adie,需要7x24小时跑生产力,来吧,7200 c36的作业砸我脸上,不需要更高,稳定就行


                    IP属地:湖北来自Android客户端14楼2025-03-24 00:24
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                      这trfc这么低真能过测?即使在内存温度很低的情况下只降低trfc也会不过测,加了内存电压跟soc电压也一样


                      IP属地:吉林来自Android客户端15楼2025-03-24 01:10
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                        内存其他小参可以讲一下吗 感觉非常有意义 看的明白


                        IP属地:湖北来自Android客户端16楼2025-03-24 01:32
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                          一、电压安全范围
                          VDDIO:技嘉不超过1.45,日常1.4即可(对于电压激进的微星和华硕,建议不超过1.42,日常1.37),具体电压值请通过hwinfo或bios显示的值判断。
                          SOC:技嘉不超过1.3,你也没法超过1.3v。微星和华硕建议不超过1.28v。
                          VDD和VDDQ:也称为内存电压。只要你散热够,随便电。但是电压越高,越容易发生信号过冲问题,无脑给高电压会拉高你的超频难度。安全范围1.7v,日用建议1.5以下(Adie),1.55以下(Mdie)。较高的内存电压可能导致内存条发热严重,hwinfo检测到在tm5 extreme测试下,温度会超过50,请加上内存风扇。没有内存风扇会大大增加你的超频难度。
                          VDDG:分为for IOD和for CCD两部分,建议不要改动,造成损坏后果自负。安全上限不超过1.05v,日常不超过0.95v,高端主板往往只需要0.95v。华硕和微星建议自查,电压激进可能直接给到1.05v,注意安全。
                          VDDP:建议不要改动,造成损坏后果自负。安全上限不超过1.1v,日常0.95-1.05v几乎完全足够,哪怕超频6400c28、8200c36等,往往只需要0.95v。进一步极限超频会需要增加电压。另外华硕和微星建议自查,电压激进可能直接给到1.05v甚至更高,注意安全。
                          MISC:默认1.1v,足够胜任几乎所有你能接触到的超频范围,除非你需要9000以上频率,改动可能有效。建议不要改动,造成损坏后果自负。不做任何解释,请不要改动。日常不超过1.25(这是包括波动范围,激进的华硕和微星设置1.1v也会波动到1.2v以上)。建议不要改动,建议不要改动,建议不要改动。
                          以上所有电压范围不是“一定如此”,根据一些神奇的PMIC,不同电气性能的主板,会有特殊的例子。


                          IP属地:广东来自Android客户端18楼2025-03-24 01:52
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                            9700x + b650m 电竞雕 + 128G 金百达银爵 a-die 6400 频率,现在只能上 5200 ,5400 就蓝屏了,请教一下,有可能上同频 6000 吗?我装有内存风扇辅助散热,bios 里设置如下:
                            ----------------------------------------------------



                            另外,我用 aida64 看了一下内存时序,发现有多组时序,是否可以参考设置成其它时序。


                            IP属地:广东19楼2025-03-24 02:07
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                              2025-05-20 22:11:59
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                              vddp没这么脆弱吧,1.2V以下都还好,这个电压我一般都设在1.18v对内存稳定性还是有一定帮助的


                              IP属地:重庆来自Android客户端20楼2025-03-24 02:21
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