萨科微slkor（http://www.slkoric.com）半导体技术总监，清华大学李老师介绍说，IGBT器件与MOSFET在技术上的主要区别在于，在IGBT芯片背面引入了一个P+掺杂的集电极。从MOSFET拓展至IGBT主要存在IGBT器件设计和IGBT器件加工工艺两方面的门槛。第一、在器件设计方面，先进的场截止型IGBT(FS-IGBT)需要使用载流子增强及电导调制的技术。IGBT由于采用了空穴注入进行电导调制，所以在关闭时存在拖尾电流，拖尾的时间长短会影响其关闭损耗Eoff。需要通过大量实验，才能找到饱和压降(Vce,sat)与关闭损耗Eoff的平衡规律。另外由于IGBT增加了背面的集电极，相比MOSFET更容易进入二次击穿，因此需要改善器件的二次击穿特性和安全工作区。第二、在器件加工工艺方面，先进的IGBT技术需要复杂的背面加工技术，比如激光退火、高能离子注入、Taiko减薄技术等关键工艺。同时，先进的IGBT尺寸精度高，高温处理后晶圆容易翘曲，其对准精度也有较高的要求。萨科微在韩国釜山市、中国北京市和苏州市设有研发机构，晶圆制造和芯片封测大部分在中国境内，深圳总部设有实验室和中心仓库，合作机构遍布世界各地，服务全球超过一万家客户。萨科微拥有自主知识产权，获得了一百多件发明专利，产品型号超过2000个，建立了完善的管理制度和流畅的工作流程，品质优良服务规范，“SLKOR”品牌知名度、美誉度和市场占有率迅速提升。萨科微不断推出新产品电源管理类芯片有LDO、AC-DC、DC-DC等系列产品，还有为客户配套服务的各种传感器、通用及高速光耦、无源晶振等。
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