比早期传言完全流片失败零良率靠谱的多，消息源 @Tech_Reve 近日发布推文，表示三星 3nmgaa 工艺初期良率为 10-20%，但是近期已提高了 3 倍多，接近百分之六十，但相比较采用成熟 FinFET 技术的台积电，其良率依然偏低，更重要的是三星寄希望于第二代 3nm 技术，性能，传言功耗和面积（PPA）指标相当于台积电的 N3P 工艺。知情人士透露三星第二代 3nm 工艺与 4nm FinFET 技术相比，能效和逻辑面积提高了 20-30%。