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这样接有木有问题？？？

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IP属地:辽宁1楼2023-10-03 14:47回复
    把光耦隔离去掉了，能行吗
    IP属地:辽宁来自Android客户端2楼2023-10-03 14:49
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      IP属地:辽宁3楼2023-10-03 14:53
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        忘了加公地了，这张是
        IP属地:辽宁4楼2023-10-03 14:54
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          为什么不直接用带隔离的半桥驱动
          IP属地:海南来自Android客户端5楼2023-10-03 14:56
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            磁环GDT不好用么？mos驱动，隔离电容2uf－3uf并电阻5Ω 磁环8圈，驱动波形很漂亮，mos驱动供电多少伏TVS钳位就选多少伏的，TVS发热正常，连续工作，4.7电阻－5Ω反并二极管，这样搭配很少振铃，有也是母线不并吸收电容导致的
            IP属地:广东来自Android客户端6楼2023-10-03 20:38
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              用MC34763主芯片加栅极驱动芯片吧，更适合谐振和感应加热。
              IP属地:重庆来自Android客户端7楼2023-10-04 09:51
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                不行
                IP属地:安徽来自Android客户端8楼2023-10-04 18:43
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                  简单啊，反激多路电源独立悬浮供电，然后驱动信号用光电耦合输送，就可以了。
                  要么就用专门的半桥或者高边驱动器，内置隔离和自举啥的。
                  IP属地:浙江9楼2023-10-05 15:14
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                    Mos图腾，上升沿有峰尖，平缓的地方12V，峰尖大概18V。加了12v TVS峰尖会减小很多，但TVS几秒钟就爆热。栅极电阻两个10欧并联，，求破解
                    IP属地:辽宁来自Android客户端10楼2023-10-05 21:11
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                      GDT圈数太多频率太高圈数太多并不是好事，15圈改成GDT比例8:8:8:8:8 串电容并电阻，波形可能会好一点，桥母线吸收电容一定要靠近管子
                      IP属地:广东来自Android客户端11楼2023-10-05 22:31
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                        你参考下我的驱动设计，实测过冲不超过3V
                        IP属地:浙江12楼2023-10-06 09:28
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