终结者Z790M内存超频参考 可抄作业

看到网上很多人买了帮主的终结者Z790M遇到内存超频的问题，今天就给8u们带来几组D5内存超频作业供参考。
首先是测试用的内存：
三星颗粒的威刚 龙耀 XMP6000 16Gx2套条;
海力士M-die颗粒的4800 16Gx2小绿条;
海力士A-die颗粒的金百达 银爵 XMP6000 16Gx2套条;
测试使用的CPU为i9-13900K，测试时除了内存外，其他硬件都是完全一样。
对了，还有一点比较重要，就是大家记得优先插2/4插槽。
1、首先是三星颗粒的威刚龙耀套条：
超频设置内存频率：6200Mhz，时序C36-42-42-80
内存VDD2和CPU VDDQ电压：1.4V
内存VDD和VDDQ电压：1.4V

这套设置可以通过TM5压力测试，在aida64的内存测试工具中，分数为：读取9.7W，写入8.5W，复制8.8W，延迟67.3ns。
2、海力士M-die颗粒的小绿条：
超频设置内存频率：6800Mhz，时序C36-42-42-88
内存VDD2和CPU VDDQ电压：1.4V
内存VDD和VDDQ电压：1.4V

实测可通过TM5压力测试，在aida64的内存测试工具中，分数为：读取10.3W，写入9W，复制9.3W，延迟为64.8ns。
同等频率下我将电压加到了1.425V，时序可以进一步压缩为C34-42-42-88，

这样仍然可通过TM5压力测试，虽然实际读写性能提升不大，但延迟就会更低一点。
3、最后是海力士A-die颗粒的金百达银爵套条：
超频设置内存频率：7000Mhz，时序C34-42-42-88
内存VDD2和CPU VDDQ电压：1.4V
内存VDD和VDDQ电压：1.435V

这样可以过TM5的压力测试，在aida64的内存测试工具中，分数为：读取11W，写入9.8W，复制10.1W，延迟已经来到5字头，为56.2ns。
接下来我在同等频率下把电压加到1.425V，时序可以进一步压缩为C32-42-42-88，同样可通过TM5的压力测试，读写性能提升不大但延迟再次降低了，来到了55.3ns。