1.Xtacking®架构锦上添花
Xtacking®专利架构技术确实非常牛，之前在聊致钛固态硬盘的颗粒的时候已经说过，它可以带来更快的I/O接口速度、更高的存储密度以及更短的生产周期，不过Xtacking®专利架构本身其实与写入寿命并不直接相关，但是它却间接帮助致钛SSD提升了写入寿命。因为Xtacking®专利架构是在两个单独的晶圆上分别单独制作外围电路和存储阵列的，然后通过独有技术以数十亿根垂直互联通道将两个晶圆结合到一起，那么从这个层面来说，致钛的闪存能够更加相对轻松的对阵列工艺进行调整，闪存阵列的工艺更容易调整优化，自然闪存也就寿命更长更稳定。

2.致钛闪存颗粒本身过硬
致钛PC005在多位大神寿命测试比赛中成绩优异，其主要原因还是其自身采用的闪存颗粒质量过硬。致钛使用的是长江存储生产的Xtacking®专利架构颗粒，长江存储凭借这一专利架构获得了2018年全球顶级闪存峰会“Flash Memory Summit”大会最高荣誉“Best of Show”——“最具创新初创闪存企业”奖项和2020年由中国半导体投资联盟、中国半导体行业专业媒体集微网共同举办的“2020中国IC风云榜”大会的“年度技术突破奖”，所以致钛采用的闪存颗粒在架构层面就是国际原厂级的，另外长江存储是能够生产晶圆的厂家，这在全世界都是没有几家，而大家所谓的“原厂”即是由此处而来，自身能够生产晶圆那么其颗粒封测水平毋庸置疑也是世界顶级，由这种厂家生产的颗粒就是所谓的“原厂颗粒”，致钛就是使用原厂颗粒。另外在CPU、GPU等领域使用的工艺制程越低（特指数值大小）其表现越好，比如英特尔成熟10nm工艺的CPU功耗性能表现一般都要优于14nm的，然而在闪存颗粒方面却并不完全如此，更低的纳米制程工艺可以降低厂家生产成本和带来更大容量，但也会带来闪存颗粒耐久度的下滑（这一点早在MLC时代就得以验证，MLC时代15nm的MLC耐久度远不及40nm的MLC），在不考虑其他因素和生产成本因素下，致钛使用的长江存储颗粒制程工艺高于一些其他国际原厂品牌，所以这一因素也使得致钛SSD使用的长江存储颗粒耐久度相对其他原厂品牌要更好。
以上是个人分析的致钛PC005在耐久度测试中屡屡有优异表现的2个因素，不当之处请大家指正，也正是致钛SSD所具备的高耐久度特性使得致钛SSD在“矿潮”期间遭遇“矿工”们的疯狂野性扫货（间接向大家表明了哪款固态耐久度好，论矿工的正面作用？？？），致钛SSD产品在具有高耐久度的情况下，PC005给出了1T版本640TBW的高标准保修承诺，加上其全国联保和个人送修的优异售后，值得购买。

接着析啊

前排插入

刚🐶东入了致钛pc005 yyds啊

主要是老工艺，我记得致钛是40nm吧，三星除了早期的v-nand后面的工艺都是20nm左右了。
另外其实这种测试还是有局限性，早期就有民间大神测出850pro写了1.6pb才挂。为什么厂商tbw始终不变，厂商不是测不出来，150万小时的平均无故障时间都能测出来。
其中减少售后成本是很重要的原因，但是tbw的制定标准JEDEC标准里面有一项很重要的就是验证断电一年数据的完整性（另外还有其它各种会比这些民间大神测试更复杂的内容）。所以tbw虽然有不少余量，但是厂商不给你保更多还有一部分原因是，他自己也不能完全保证你写入量很大以后，断电一年数据的保持能力（或者其他能力）。
也能说明铠侠减少tbw一部分确实是为了减少售后成本，一部分它的颗粒如果保600不一定有自信通过JEDEC标准，所以铠侠确实还是有点拉。

3d nand你还是要看实际CT/FG单元尺寸，制程数字不能完全说明问题。就比如三星v4 64层和v5 96层，96层明面上制程更新，实际上96层的通道孔直径明显更大（因为需要蚀刻更深的通道孔），虽然单元高度低了但实际CT/FG单元尺寸变化不大。
如图所示3d nand层高和制程的变化对CT/FG单元尺寸的影响现在还不怎么明显。
另外还有一个因素，为啥三星和致钛这俩date retention都明显比bics系结构的强，其实TCAT结构相比BICS在date retention方面有一定的优势。

前排围观大佬

有猫饼

Mark，

双11京东 350入了500g的致钛pc005

不应该看老化测试？