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1、第一时序
（1）cAS#Latency（tCL）
相同的内存频率下，这个值越低越好，但是降低此值需增加一定的电压，请酌情增 加同时还有一个通用的计算公式：tCL=内存频率×（7.5～9ns）÷2000，其值四舍五入。内存条体质越好，同样的电压下，该值可以越低。同理反推：延迟=cL×2000÷频率。由此可见cL值和频率在延迟当中的重要性。
（2）RAS#to cAS#Delay（tRCD）
此值又分为tDRD(读）和tRCDWR(写），如果想上更高频率，建议增加 tRCD。比如同样电压下3600c14-14-14-34下不稳定，你改成3600 c14-15-15-34就可能稳定了。
（3）RAS#PRE Time（tRP）
此值放宽可以提高内存的兼容性，此值建议等于tRCD值，因为其内存时序长时间运行在tRCD和tRP之中较大的那个值。
（4）RAS#ACT Time（tRAS）
此值的计算公式为tCL+tRCD+（0～8），并且不小于28，因为此值小于28，可能会降低内存的性能；过高也会影响内存性能。
（5）Commond Rate（CR）
如果内存体质较好，建议选择1T，于内存性能会有提升；否则为Auto。
2、第二时序
（1）RAS#to RAS#Delay（tRRD）
此值越小，对内存性能越有提升，能收多少是多少，但是会限制内存频率，也就是说太小容易导致高频不稳定。此值建议选4、6。
（2）RAS#to RAS#Delay_L（tRRD_L）
此值越小，对内存性能越有提升，能收多少是多少，但是会限制内存频率，也就是说太小容易导致高频不稳定。此值建议选4、6。此值也有一个计算公式为：tRRD_L=tRRD+（0～2）。
（3）RFE Cycle Time（tRFC）
此值越低越好，也有一个计算公式，tRFC=ns×频率÷2000。内存条不同颗粒单面8GB的ns值如下：AFR颗粒（260～280）；CJR颗粒值（260～280）；EDIE颗粒（300～350）；BDIE颗粒（160～180）。 这只是一个保守的计算方式，实际上该值可以比公式计算出的值低四分之一左右，当然也涉及到内存条的体制问题。也由此可见BDIE颗粒在时序参数上的优化。
（4）Refresh Interval（tREFI）
此值越大越好，可以显著提高宽带读取，推荐主板允许的最大值（32767）。此值增大会略微增加内存的发热，但可忽略不计。
（5）WRITE Recovery Time（tWR）
此值越低越能提高内存条性能，可以在极端条件下运行极限值，也就是说受内存电压、频率的影响不大。推荐值：10、12、16。
（6）READ to PRE Time（tRTP）
此值越小越好，但是建议提高以增加稳定性，此值计算公式为：tRTP=tWR÷2。推荐值：8、10、12。
（7）FOUR ACT WIN Time（tFAW）
此值对内存性能影响不大，计算公式为：tFAW=tRRD×4，建议Auto。
（8）WRITE to READ Delay（tWTR）
此值降低可以增加内存的读的性能，适当放大则可以提高稳定性。推荐值：4或者Auto。
（9）WRITE to READ Delay_L（tWTR_L）
推荐值：8、12或者Auto，可以适当放大以提高稳定性。
（10）CRE Mimimum Pulse Widech（tCKE）
推荐值：4、6或者Auto。
（11）CAS Write Latensy（tCWL）
此值越小越好，和cL值一样重要，能收到多少还得看内存体制。计算公式为：tCWL=tCL-（0～2）
3、第三时序
至于第三时序，个人认为比较重要的参数是tCCD-L，此项值建议设置为4，极致可以为2，如果内存体质一般，则可以设置为8以增强过测试的稳定性。其他值建议Auto。
（1）cAS#Latency（tCL）
相同的内存频率下，这个值越低越好，但是降低此值需增加一定的电压，请酌情增 加同时还有一个通用的计算公式：tCL=内存频率×（7.5～9ns）÷2000，其值四舍五入。内存条体质越好，同样的电压下，该值可以越低。同理反推：延迟=cL×2000÷频率。由此可见cL值和频率在延迟当中的重要性。
（2）RAS#to cAS#Delay（tRCD）
此值又分为tDRD(读）和tRCDWR(写），如果想上更高频率，建议增加 tRCD。比如同样电压下3600c14-14-14-34下不稳定，你改成3600 c14-15-15-34就可能稳定了。
（3）RAS#PRE Time（tRP）
此值放宽可以提高内存的兼容性，此值建议等于tRCD值，因为其内存时序长时间运行在tRCD和tRP之中较大的那个值。
（4）RAS#ACT Time（tRAS）
此值的计算公式为tCL+tRCD+（0～8），并且不小于28，因为此值小于28，可能会降低内存的性能；过高也会影响内存性能。
（5）Commond Rate（CR）
如果内存体质较好，建议选择1T，于内存性能会有提升；否则为Auto。
2、第二时序
（1）RAS#to RAS#Delay（tRRD）
此值越小，对内存性能越有提升，能收多少是多少，但是会限制内存频率，也就是说太小容易导致高频不稳定。此值建议选4、6。
（2）RAS#to RAS#Delay_L（tRRD_L）
此值越小，对内存性能越有提升，能收多少是多少，但是会限制内存频率，也就是说太小容易导致高频不稳定。此值建议选4、6。此值也有一个计算公式为：tRRD_L=tRRD+（0～2）。
（3）RFE Cycle Time（tRFC）
此值越低越好，也有一个计算公式，tRFC=ns×频率÷2000。内存条不同颗粒单面8GB的ns值如下：AFR颗粒（260～280）；CJR颗粒值（260～280）；EDIE颗粒（300～350）；BDIE颗粒（160～180）。 这只是一个保守的计算方式，实际上该值可以比公式计算出的值低四分之一左右，当然也涉及到内存条的体制问题。也由此可见BDIE颗粒在时序参数上的优化。
（4）Refresh Interval（tREFI）
此值越大越好，可以显著提高宽带读取，推荐主板允许的最大值（32767）。此值增大会略微增加内存的发热，但可忽略不计。
（5）WRITE Recovery Time（tWR）
此值越低越能提高内存条性能，可以在极端条件下运行极限值，也就是说受内存电压、频率的影响不大。推荐值：10、12、16。
（6）READ to PRE Time（tRTP）
此值越小越好，但是建议提高以增加稳定性，此值计算公式为：tRTP=tWR÷2。推荐值：8、10、12。
（7）FOUR ACT WIN Time（tFAW）
此值对内存性能影响不大，计算公式为：tFAW=tRRD×4，建议Auto。
（8）WRITE to READ Delay（tWTR）
此值降低可以增加内存的读的性能，适当放大则可以提高稳定性。推荐值：4或者Auto。
（9）WRITE to READ Delay_L（tWTR_L）
推荐值：8、12或者Auto，可以适当放大以提高稳定性。
（10）CRE Mimimum Pulse Widech（tCKE）
推荐值：4、6或者Auto。
（11）CAS Write Latensy（tCWL）
此值越小越好，和cL值一样重要，能收到多少还得看内存体制。计算公式为：tCWL=tCL-（0～2）
3、第三时序
至于第三时序，个人认为比较重要的参数是tCCD-L，此项值建议设置为4，极致可以为2，如果内存体质一般，则可以设置为8以增强过测试的稳定性。其他值建议Auto。
