日期可以看到是2020年11月生产，不远不近吧

拆开包装拿出盘体和说明书，860Pro的盘体是有一个粉色的硬质塑料静电袋包装的，860evo直接裸奔，排面果然差出来了

然后是拆解部分，楼主撕不下这层贴纸，所以换了一种方式，用食指摁压找到贴纸下的螺丝位，用壁纸刀划开一个十字形的口子，就可以把螺丝刀伸进去拧了顺便一提螺丝为五角星形，需要准备专门的工具，楼主用的是小米的螺丝刀组

打开盘体，很小的绿色pcb，由上到下为缓存，主控，闪存颗粒，背面有一个闪存空焊位，也就是说正面的闪存是单颗1T记得之前在别的帖子里看到说870evo改了单颗粒，是缩水行为，特意入了860evo，这貌似也是单颗粒啊，差别在哪，870层数还更高主控也更新缓存是LPDDR4-4266，860evo缓存也是LPDDR4但是频率未知

顶

这么大盒子。。。

大壳子铸铝的值点钱

插硬盘盒裸奔拷它个400G，看看温度速度怎么样

话说我在背面的空焊位上焊一个三星的1T颗粒，是不是能重新开成2T

总体来看还是挺稳的，文件种类比较杂，速度波动也正常，电路板位置原因摸不到主控和颗粒，摸背面感觉还好，温热水平

拆完了50包邮

http://bbs.pceva.com.cn/thread-132386-1-1.html
三星采取了类似Intel tick-tock的进化方式，半代提升层数，半代升级制程。现在3.5代V-NAND的存储密度已经是三星自家16nm平面颗粒的3.5倍了
看来PCEVA说的还有点道理，

tbw，1t都是600，下面的图，一个是870 it，一个是2t 860，自己要换算一下。
860的健康图网上很多，我自己手里也有两，但是一个99（没有贴和比较意义），一个97，
（250g 写入8000g左右）。 这个860 2t，19t写入，97，掉得比我的严重，网上看一般的860，在这两个个尺度之间。
870这个231t已经，健康度还有 85%,如果没有其他的差异，两者的写入磨损等价，
那我觉得，应该是三星给的p/e标定有很大差别，（也许这不代表两者质地有很大差别，比如
可能三星觉得860给出的数据保守了，870校正了一下）
也有可能，因为主控或者工艺差异？三星自己放飞自我。
之前有人说870颗粒缩水了什么，后来好像并没有。
总之，我觉得一样价，买新不买旧

感谢拆解