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1.简述PN结的形成过程,并说明PN结的电学特性。
答:答PN结采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。PN结(PNunction)一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的PN结叫同质结,由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的。N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合,载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区。
2.简述双极型晶体管的三种工作状态。
答:(1)、工作状态(或工作模式)有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种.放大状态就是输出电流与输入电流或者与输入电压成正比的一种工作状态。在输出伏安特性曲线上,放大状态所处的范围对于BJT和FET有所不同。
(2)、饱和状态就是晶体管的一种低电压、大电流工作状态(即开态).对于BJT(双极型晶体管)和对于FET(场效应晶体管),饱和状态的含义大不相同,要特别注意区分开来.饱和状态就是晶体管的一种低电压、大电流工作状态(即开态).对于BJT(双极型晶体管)和对于FET(场效应晶体管),饱和状态的含义大不相同,要特别注意区分开来.
(3)、截止状态就是电流很小、基本上不导通的一种工作状态(工作模式).这种状态,不管是BJT(双极型晶体管),还是FET(场效应晶体管),都是一致的;在输出伏安特性曲线上,其范围都是处于最下面的小区域(紧靠横轴——电压轴)
3.简述场效应晶体管的工作原理。
答:场效应管三个引脚分为:g极(栅极)、d极(漏极)、s极(源极)。场效应管与三极管的工作原理有很大的不同。场效应管时由加在输入端(栅极)的电压来控制输出端(漏极)的电流,也就是说场效应管是由栅极输入电压控制的压控电流源。
4.把十进制数0.625转换成二进制数。
答:0.625=(0.101)2。后续添加:xu940413


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