型号：IRFU014PBF-VB 丝印：VBFB1630 品牌：VBsemi 参数： - 类型：N沟道 - 额定电压（Vds）：60V - 最大持续电流（Id）：25A - 导通电阻（RDS(ON)）：32mΩ @ 10V - 门源电压范围（Vgs）：20V（正负） - 阈值电压（Vth）：2.4V - 封装：TO251 应用简介： IRFU014PBF-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有较高的额定电压和电流承受能力。它适用于需要高电压和高电流开关的领域，如电源开关、电机控制和工业应用。 详细参数说明： 1. **类型**：这是一款N沟道MOSFET，意味着

铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征：120V,200ARDS（ON）<5.5mΩ＠VGS=10V TYP:5.0mΩRDS（ON）<7.5mΩ＠VGS=6V TYP:6.5mΩ先进的沟槽电池设计低热阻 应用：电机驱动器直流-直流转换器

描述： AP180N03P/T采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作该器件适用于电池保护或其他开关应用 特征：VDS=30V ID =180ARDS(ON) < 3.2mΩ @ VGS=10V （Type：2.1mΩ） 应用： 电池保护 负载开关 不间断电源

型号：NDS351AN-NL-VB 丝印：VB1330 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 最大耐压：30V - 最大持续电流：6.5A - 开通电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ 10Vgs、33mΩ @ 4.5Vgs - 阈值电压（Vth）：1.2V 到 2.2V 可调 - 封装类型：SOT23 应用简介： NDS351AN-NL-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种低功率电子应用。以下是它的一些主要应用领域： 1. 信号开关：这款MOSFET适用于信号开关电路，例如在通信设备、音频放大器和控制电路中，用于控制和管理信

AP7N65K N-通道增强型 MOSFET特征：650V,7ARDS（ON）<1.35Ω＠VGS=10V TYP:1.1Ω快速切换100%雪崩测试改进的dv/dt能力应用：开关模式电源（SMPS）不间断电源（UPS）功率因数校正（PFC）PWM应用

型号：BSP250-VB 丝印：VBJ2456 品牌：VBsemi **参数说明：** - 极性：P沟道 - 额定电压（Vds）：-40V - 额定电流（Id）：-6A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V - 门源极电压（Vgs）：-20V 至 20V - 阈值电压（Vth）：-0.83V - 封装类型：SOT223 **应用简介：** BSP250-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块： 1. **电源开关模块：** 由于其P沟道MOSFET特性，BSP250-VB可用于电源开关模块，如DC-DC变换器和开关稳压器。这些模

APA65R640FM 超结功率场效应晶体管特征：650V,7ARDS（ON）<640mΩ＠VGS=10V TYP:523mΩ先进的超结技术极低导通电阻应用：功率因子校正（PFC）开关模式电源（SMPS）不间断电源（UPS）LED照明电源

AP100N03P/T 30V N-通道增强模式 MOSFET描述：AP100N03P/T是采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作该器件适用于电池保护或其他开关应用特征：VDS = 30V ID =100 ARDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V （Type：4.5mΩ）应用：电池保护负载开关不间断电源

华羿微 HYG160N06LS1D/U/V N- 通道增强型 MOSFET特征：60V，38ARDS（ON）<14mΩ@VGS=10V100% 雪崩测试100% DVDS可靠且坚固提供无卤素和绿色设备（符合 RoHS 标准）应用：开关应用DC-DC 转换器

型号：NIF5002NT3G-VB 丝印：VBJ1695 品牌：VBsemi 参数： - 类型：N沟道 - 最大耐压：60V - 最大电流：4A - 静态开启电阻 (RDS(ON))：76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V - 门源极电压 (Vgs)：20V (±V) - 阈值电压 (Vth)：1.53V - 封装类型：SOT223 应用简介： NIF5002NT3G-VB是一种N沟道MOSFET，具有适中的电压和电流承受能力。它适用于多种电子应用，以下是一些可能的应用领域： 1. 电源模块：这款MOSFET可用于小型电源模块中的功率开关，帮助提高电源管理的效率，适用于便携式设备、嵌入式

型号：AO7800-VB 丝印：VBK3215N 品牌：VBsemi 参数： - 类型：2个N沟道 - 最大耐压：20V - 最大电流：2A - 静态开启电阻 (RDS(ON))：150mΩ @ 4.5V, 170mΩ @ 2.5V - 门源极电压 (Vgs)：8V (±V) - 阈值电压 (Vth)：0.8V - 封装类型：SC70-6 应用简介： AO7800-VB是一种双N沟道MOSFET器件，适用于需要低电压、低电流和小型封装的电子应用。以下是一些可能的应用领域： 1. 移动设备：AO7800-VB可以用于手机、平板电脑和便携式媒体设备等移动设备中的电源管理电路，以提高电池寿命和设备

型号：NDT456P-VB 丝印：VBJ2456 品牌：VBsemi 参数： - 类型：P沟道 - 额定电压（Vds）：-40V - 最大持续电流（Id）：-6A - 导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V - 门源电压范围（Vgs）：20V（正负） - 阈值电压（Vth）：-0.83V - 封装：SOT223 应用简介： NDT456P-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于需要负向电压操作的电子应用。它具有低导通电阻和适度电流承受能力，适用于一系列电源控制和开关应用。 详细参数说明： 1. **类型**：这是一款P沟道MOSFET，

型号：FQT5P10TF-VB 丝印：VBJ2102M 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：P沟道 - 最大耐压：-100V - 最大持续电流：-3A - 开通电阻（RDS(ON)）：200mΩ @ 10Vgs、240mΩ @ 4.5Vgs - 阈值电压（Vth）：2V 到 4V 可调 - 封装类型：SOT223 应用简介： FQT5P10TF-VB是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它在电子领域中有多种应用。以下是它的一些主要应用领域： 1. 电源管理模块：这款MOSFET的负向耐压和低开通电阻使其非常适合电源管理模块。它可以用于电源开关、反向

型号：IRF7425TRPBF-VB 丝印：VBA2309 品牌：VBsemi **参数说明：** - 极性：P沟道 - 额定电压（Vds）：-30V - 额定电流（Id）：-11A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V - 门源极电压（Vgs）：-20V 至 20V - 阈值电压（Vth）：-1.5V - 封装类型：SOP8 **应用简介：** IRF7425TRPBF-VB是一款P沟道功率MOSFET，适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块： 1. **电源供应模块：** 由于IRF7425TRPBF-VB具有低导通电阻和高电流承载能力，它可以用于设计高效率

MOS管在DCDC恒压/恒流电路中扮演着重要的角色。DCDC恒压电路用于将一个直流电源的电压转换为另一个恒定的电压输出。DCDC恒流电路则用于将一个直流电源的电流转换为另一个恒定的电流输出。 MOS管在电路中的工作原理 MOS管在这些电路中通常用作开关元件，通过调整其栅极电压来控制导通和截止状态来实现恒压或恒流。其工作原理如下： 导通状态：当MOS管的栅极电压高于阈值时，它将导通，形成低电阻通路，使得输入电源的电能能够传输到输出负载

型号：IRFIZ24NPBF-VB 丝印：VBMB1638 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：N沟道MOSFET - 额定电压（Vds）：60V - 额定电流（Id）：45A - 导通电阻（RDS(ON)）：27mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V - 阈值电压（Vth）：1~3V - 封装类型：TO220F 应用简介： IRFIZ24NPBF-VB是一款高性能N沟道MOSFET，适用于各种电子应用中，特别是需要高电压和高电流承受能力的应用。以下是该产品可能的应用领域： 1. 电源管理模块： 这款MOSFET可以用于电源管理模块，如开关电源、稳压器和DC-DC转换器。其高

型号： AO4401-VB 丝印： VBA2333 品牌： VBsemi 详细参数说明： - P沟道 - 最大工作电压：-30V - 最大工作电流：-6A - RDS(ON)：40mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V - 门源电压范围：20Vgs (±V) - 灵敏度门源电压：-1.5Vth (V) - 封装形式：SOP8 应用简介： AO4401-VB是一种P沟道MOSFET器件，适用于各种电子设备和电路中的开关和放大器应用。它具有低电阻和高开关速度的特点，可以有效地控制电流和电压。 该器件广泛应用于以下领域模块： 1. 电源模块：AO4401-VB可用作开关电路和负载开关，

8N10-HG1046S N通道MOS管：技术与应用 8N10-HG1046S是一款车灯和舞台灯设计的高耐压N通道MOS管，具有100V的耐压和8A的电流能力。其采用了SFG MOS技术，提供了低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及优良的雪崩特性，使得该器件在耐用性和同步整流应用方面表现好。 工作原理 MOS管的工作原理主要是利用加在栅极(G)上的电压(VGS)来控制“感应电荷”的多少，从而改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，达到控制漏极(D)电流的目的。HG1046S通过其低RDS(ON)和低

型号：AOD417-VB 丝印：VBE2317 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 极性：P沟道 - 最大耐压：-30V - 最大电流：-40A - 导通电阻：18mΩ（在10V电压下），25mΩ（在4.5V电压下） - 额定电压：20Vgs（门源电压范围为±20V） - 阈值电压：-1.7Vth（门源电压下的阈值电压） - 封装：TO252 应用简介： AOD417-VB是一种功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于功率放大、开关和驱动应用。它具有高耐压、高电流和低导通电阻的特点，适用于各种工业和消费电子设备。 该器件特别适用于

型号： MTD20N03HDLT4G-VB 丝印： VBE1310 品牌： VBsemi 参数说明： - N沟道 - 额定电压：30V - 额定电流：70A - 开通电阻：7mΩ @ 10V, 9mΩ @ 4.5V - 门源极电压：±20Vgs - 阈值电压：1.8Vth(V) - 封装：TO252 应用简介： MTD20N03HDLT4G-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET。它适用于在需要高功率开关和控制的各种领域模块中使用。由于其额定电压高达30V和额定电流达到70A，它在各种高功率应用中都能表现出色。 应用领域： 此种型号的MOSFET常用于以下领域模块： - 电源管理模块：

东莞市惠海半导体有限公司推出的HC025N10L MOS管，凭借其好的性能和应用领域，成为了市场上的好产品。这款N沟道场效应管采用了好的沟槽技术，提供了良好的RDS（ON）性能、低栅极电荷以及4.5V的栅极电压操作，使其适用于电池保护或其他开关应用。 工作原理 HC025N10L MOS管的工作原理主要依赖于栅极电压（VGS）来控制“感应电荷”的数量，从而改变导电沟道的状况，达到控制漏极电流的目的。这种机制使得MOS管具有高输入电阻、低噪声、低功耗、大动

型号： NTMD4840NR2G-VB 丝印： VBA3316 品牌： VBsemi 参数： - 类型： N沟道场效应管 (N-channel MOSFET) - 额定电压： 30V - 额定电流： 8.5A - 漏极电阻： RDS(ON) = 20mΩ @ 10V, 12mΩ @ 4.5V - 门源电压范围： ±20V - 阈值电压： 1.5V - 封装： SOP8 应用简介： NTMD4840NR2G-VB是一款高性能N沟道场效应管，常用于各种电子设备中。其低漏极电阻和高电流能力使其适用于高速开关电路和功率放大器等场景。该器件可在20V的门源电压范围内正常工作，且具有较低的阈值电压。此外，它还

型号： IRFR9024TRPBF-VB 丝印： VBE2610N 品牌： VBsemi 详细参数说明： - P沟道 - 最大耐压：-60V - 最大漏源电流：-38A - 开启电阻RDS(ON)：61mΩ @ 10V；72mΩ @ 4.5V - 阈值电压Vth：-1.3V - 封装类型：TO252 应用简介： IRFR9024TRPBF-VB是一款P沟道功率场效应晶体管，适用于需要控制大电流和高压的应用场景。由于其具有低阈值电压和低开启电阻，适合在低压条件下工作。常见的应用包括电源管理、马达驱动器、逆变器、瞬态保护等领域。 该产品的特点在于能够承受较高的电

MOS管在电路设计的选择应用一直都在国产化，而对于TOLL封装不仅有IPT015N10N5，更有国产FHL385N1F1A型号MOS管！

型号：IRF7303TRPBF-VB 丝印：VBA3328 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：双N沟道MOSFET - 额定工作电压：30V - 额定漏极电流：6.8A（2个N沟道并联） - 开启电阻RDS(ON)：22mΩ @ 10V, 26mΩ @ 4.5V - 阈值电压Vth：1.73V - 封装：SOP8 应用简介： IRF7303TRPBF-VB是一款具有高性能的双N沟道场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于各种电子设备和模块中。 这款MOSFET适用于以下领域模块的应用： 1. 电源模块：IRF7303TRPBF-VB可以用于电源开关，稳压及稳流模块的设计中。其低开启电阻和高

详细参数说明： 该型号VBsemi SI4953ADY-T1-E3-VB是一款SOP8封装的P沟道MOSFET。它具有两个P沟道，工作电压为-30V，最大电流为-7A。其在10V下的导通电阻为35mΩ，在4.5V下为48mΩ。最大的门源电压为20V，阈值电压为-1.5V。 应用简介： VBsemi SI4953ADY-T1-E3-VB适用于很多领域的模块设计。其主要用途是在模拟和数字电路中作为开关管或放大器。此外，它还可以用于功率管理和电源管理应用，例如直流-直流转换器（DC-DC Converter）、电池管理系统以及高速逻辑电平转换。由

详细参数说明： - 型号：FDV303N-NL-VB - 丝印：VB1240 - 品牌：VBsemi - 参数： - N沟道 - 额定电压：20V - 额定电流：6A - 静态电阻：24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V - 门源电压：8Vgs (±V) - 阈值电压：0.45~1Vth(V) - 封装：SOT23 应用简介： FDV303N-NL-VB是一款N沟道MOSFET晶体管，适用于各种领域的电子电路设计。它具有20V的额定电压和6A的额定电流，适用于工业控制、通信设备、汽车电子以及消费类电子产品等领域的模块设计。 这些产品主要用于以下领域模块： 1. 工业控制模块：FDV30

详细参数说明： - 型号：FDV303N-NL-VB - 丝印：VB1240 - 品牌：VBsemi - 参数： - N沟道 - 额定电压：20V - 额定电流：6A - 静态电阻：24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V - 门源电压：8Vgs (±V) - 阈值电压：0.45~1Vth(V) - 封装：SOT23 应用简介： FDV303N-NL-VB是一款N沟道MOSFET晶体管，适用于各种领域的电子电路设计。它具有20V的额定电压和6A的额定电流，适用于工业控制、通信设备、汽车电子以及消费类电子产品等领域的模块设计。 这些产品主要用于以下领域模块： 1. 工业控制模块：FDV30

型号： AM30N10-70D-T1-PF-VB 丝印： VBE1104N 品牌：VBsemi 参数说明： - 类型：N沟道MOSFET - 工作电压：100V - 额定电流：40A - 开通电阻：30mΩ（10V）、31mΩ（4.5V） - 门源电压范围：±20V - 阈值电压：1.8V - 封装：TO252 应用简介： AM30N10-70D-T1-PF-VB是一款高压、高电流的N沟道MOSFET。它适用于高频开关电源、电机驱动器、电池管理系统、DC-AC逆变器等领域模块。具有低导通电阻、低开关损耗、优异的开关特性和可靠性，能够提供高效的功率转换和高稳定性的电路设计。

领泰半导体 LT7904FL-X PDFN3.3*3.3-8L, 30V,59.6A, N沟道增强模式电源MOSFET,适用于DCDC转换，同步整流应用。 参数： VDS = 30V, ID = 59.6A RDS(ON) @VGS= 10V, MAX 5.5mΩ RDS(ON) @VGS= 4.5V, MAX 9.0mΩ

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种重要的半导体器件，其主要作用体现在以下几个方面： 信号放大：MOS管可以将微弱的信号放大，增强信号的强度，应用于音频放大器、功率放大器等电路中。 开关控制：在电路中，MOS管可以作为开关使用，控制电路的传导或截止，实现电路的精准控制。 电源管理：MOS管在电源电路中起到功率控制的作用，实现电源的开关和调压功能，有助于延长电子设备的使用寿命。 信号调制与解调：在通信领域

该型号 FDS8949-NL-VB，丝印为 VBA3638，是VBsemi品牌生产的一款电子元器件。其参数为2个N沟道、60V、6A，RDS(ON)为27mΩ@10V、32mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，1.5Vth(V)，封装为SOP8。 详细参数说明： - 2个N沟道表示该元器件内部有两个N沟道MOS管。 - 60V代表该元器件的最大工作电压为60V。 - 6A表示该元器件的最大工作电流为6A。 - RDS(ON)表示开通状态下的导通电阻，分别为27mΩ@10V和32mΩ@4.5V。这意味着在10V和4.5V两种电压下，元器件的导通电阻分别为27mΩ和32mΩ。 - 20Vgs(±V)表示元器

详细参数说明： - 型号：20N03-VB - 丝印：VBE1310 - 品牌：VBsemi - 类型： N沟道场效应管 - 额定电压：30V - 额定电流：70A - RDS(ON)：7mΩ@10V, 9mΩ@4.5V - 门源电压：20Vgs(±V) - 阈值电压：1.8Vth(V) - 封装型号：TO252 应用简介： 20N03-VB是一款N沟道场效应管，具备高电流和低导通电阻的特点。它的额定电压为30V，额定电流为70A。其低导通电阻（RDS(ON)）使得它在高电流应用场景下能够保持较低的功耗。门源电压为20Vgs(±V)，阈值电压为1.8Vth(V)。 这款产品适用于以下领域模

详细参数说明： - 型号: AO4419-VB - 丝印: VBA2317 - 品牌: VBsemi - 参数: - 沟道类型: P沟道 - 额定电压: -30V - 额定电流: -7A - 开启电阻: 23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V - 门源极电压范围: ±20V - 门阈电压: -1.37V - 封装类型: SOP8 应用简介：AO4419-VB是一款P沟道功率MOSFET器件，适用于各种需要P沟道器件的电路设计。它可在-30V的额定电压下提供最大-7A的电流，具有低开启电阻，可在不同电压下提供较低的电阻值，以提高功率传输效率。该器件采用SOP8封装，适合于表面

HG160N10L：提升电机效率的MOS管 在电机驱动领域，选择一款合适的MOS管对于提升电机效率至关重要。惠海半导体推出的HG160N10L，作为一款电机驱动设计的场效应管，凭借其出色的性能和先进的技术，成为了提升电机效率的方案。 HG160N10L采用了SFGMOS技术，具有低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性。这些特性使得HG160N10L在电机驱动应用中表现出色，能够有效降低能耗、减少热量产生，从而提升电机的整体效率。 具体来说，HG160N10L的100V耐压和8

型号：ZXMC4559DN8TA-VB 丝印：VBA5638 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：N+P沟道MOSFET - 工作电压：±60V - 电流：6.5/-5A - 开态电阻：RDS(ON)为28/51mΩ @ 10V和34/60mΩ @ 4.5V - 门源电压：20V (Vgs) - 阈值电压：±1.9V (Vth) - 封装：SOP8 应用简介： 该型号的MOSFET适用于以下应用领域的模块： 1. 电源管理模块：可用于电源开关、功率逆变器和稳压器等电路中，以提供高效的能量转换和稳定的电压输出。 2. 驱动器模块：可用于各种驱动器电路中，提供高速的开关和保护功能

型号： PMN50XP-VB 丝印： VB8338 品牌： VBsemi 详细参数说明： - 沟道类型：P沟道 - 工作电压：-30V - 工作电流：-4.8A - 开启电阻：RDS(ON) = 49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V - 门极电压范围：20Vgs (±V) - 阈值电压范围：-1~-3Vth(V) - 封装类型：SOT23-6 应用简介： 该型号的PMN50XP-VB P沟道功率 MOSFET适用于各种领域的电路和模块设计，可以应用于需要高性能功率开关和电源控制的应用中。 该器件的特性包括工作电压高，电流能力大，开启电阻低等，使其适用于以下领域模块： 1. DC/D

详细参数说明： 型号：AM4599C-T1-PF-VB 丝印：VBA5638 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N+P沟道 - 最大工作电压：±60V - 最大工作电流：6.5A（正向）/-5A（反向） - RDS(ON)：28mΩ（正向，10V），51mΩ（反向，10V），34mΩ（正向，4.5V），60mΩ（反向，4.5V） - 门源电压：±20Vgs - 临界电压：±1.9Vth - 封装类型：SOP8 应用简介： 该型号的AM4599C-T1-PF-VB晶体管适用于以下领域模块： 1. 电源模块：由于该型号具有较高的工作电压和电流能力，可用于电源模块中提供必要的电流

6N06户外灯、珠磁吸灯MOS管-HC070N06LS 60V6A的工作原理主要基于金属-氧化物-半导体(MOS)的结构来实现电流的控制和放大。这种MOS管是N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其详细工作原理可以解释如下： N沟道MOSFET结构 金属基片：作为主要的载流子通道。 氧化层：用于隔离金属基片和半导体层，通常由二氧化硅构成，这使得MOS管具有很高的输入电阻。 半导体层：作为控制电压的接收器。 工作原理 增强模式（Enhancement Mode）： 当NMOS管的栅

型号： AP4407GM-VB 丝印： VBA2311 品牌： VBsemi 参数说明： 1. P沟道 2. 最大承受电压：-30V 3. 最大工作电流：-11A 4. 开阻抗：10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V 5. 门源漏电压：20Vgs(±V) 6. 阈值电压：-1.42Vth(V) 7. 封装：SOP8 应用简介： AP4407GM-VB是一款适用于P沟道的功率MOSFET，广泛应用于各种电子设备的功率开关和驱动控制电路中。其优异的特性使其可在低电压和大电流的环境下稳定工作，并能提供低导通电阻。 产品应用领域： AP4407GM-VB常被应用在以下领域的模块上： 1. 电源模

详细参数说明： - 型号： IRFR3410TRPBF-VB - 丝印： VBE1104N - 品牌： VBsemi - 类型： N沟道 - 最大电压（Vds）： 100V - 最大电流（Id）： 40A - 开态电阻（RDS(ON)）： 30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V - 阈值电压（Vth）：1.8V - 封装：TO252 应用简介： IRFR3410TRPBF-VB 是一款功耗型 N沟道 MOSFET。它适用于各种需要高电压和高电流的应用，具有低开态电阻和较低的阈值电压。因此，它特别适合用于功率放大器、开关电源、电机驱动器和充电器等领域。 该产品在以下领域模块中广泛应用

型号：20P03 丝印：VBE2338 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 极性：P沟道 - 额定电压：-30V - 额定电流：-26A - 开通电阻（RDS(ON)）：33mΩ @ 10V, 46mΩ @ 4.5V - 额定栅极-源极电压（Vgs）：20V (±V) - 阈值电压（Vth）：-1.3V - 封装类型：TO252 应用简介： 20P03是一款P沟道MOSFET，具有高电流能力和低导通电阻，适用于各种领域的模块应用。其特点包括高效性和稳定性，可以提供高效的功率开关和电流控制。 主要应用领域： 1. 电源模块：20P03可应用于各种电源模块中的开关

型号：IPD78CN10N G 丝印：VBE1106N 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 极性：N沟道 - 额定电压：100V - 额定电流：25A - 开通电阻（RDS(ON)）：55mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5V, 73mΩ @ 2.5V - 额定栅极-源极电压（Vgs）：20V (±V) - 阈值电压（Vth）：1.4V - 封装类型：TO252 应用简介： IPD78CN10N G是一款N沟道MOSFET，具有高电压和高电流能力，适用于各种领域的模块应用。其特点包括低导通电阻、高开关速度和可靠性。 主要应用领域： 1. 照明模块：IPD78CN10N G可应用于LED照明模块中的电源管

筒灯车载供电MOS管（6N06 HC070N06LS 60V6A）工作原理 筒灯车载供电MOS管6N06 HC070N06LS 60V6A的工作原理主要基于金属-氧化物-半导体(MOS)的结构来实现电流的控制和放大。这种MOS管是N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其工作原理可以详细解释如下： N沟道MOSFET结构：MOS管由金属基片、氧化层和半导体层组成。金属基片是主要的载流子通道，氧化层用于隔离金属基片和半导体层，半导体层作为控制电压的接收器。 工作原理： 当NMOS管的栅电压