型号：AO4724-VB 丝印：VBA1311 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 最大耐压：30V - 最大持续电流：12A - 开通电阻（RDS(ON)）：12mΩ @ 10Vgs、15mΩ @ 4.5Vgs - 阈值电压（Vth）：0.8V 到 2.5V 可调 - 封装类型：SOP8 应用简介： AO4724-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高电流承受能力和低开通电阻，适用于多种电子应用。以下是它的一些主要应用领域： 1. 电源管理模块：这款MOSFET的低开通电阻和高电流承受能力使其非常适合电源管理模块

型号：PHP225-VB 丝印：VBA4338 品牌：VBsemi **参数说明：** - 极性：2个P沟道 - 额定电压（Vds）：-30V - 额定电流（Id）：-7A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V - 门源极电压（Vgs）：-20V 至 20V - 阈值电压（Vth）：-1.5V - 封装类型：SOP8 **应用简介：** PHP225-VB是一款双P沟道MOSFET，具有广泛的应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块： 1. **电源开关模块：** 由于其P沟道MOSFET特性，PHP225-VB可用于电源开关模块，如DC-DC变换器和开关稳压器。这

型号: SI2356DS-T1-GE3-VB 丝印: VB1330 品牌: VBsemi 详细参数说明: - 沟道类型: N沟道 - 额定电压: 30V - 最大电流: 6.5A - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V - 门源电压 (Vgs): ±20V - 阈值电压 (Vth): 1.2~2.2V - 封装类型: SOT23 应用简介: SI2356DS-T1-GE3-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域： 1. **电源开关**: 这款晶体管可用于电源开关电路，帮助实现高效的电源控制和管理，特别适用于便携式设备和电源管

型号：AO4438-VB 丝印：VBA1630 品牌：VBsemi 参数： - 类型：N沟道 - 最大耐压：60V - 最大电流：7.6A - 静态开启电阻 (RDS(ON))：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V - 门源极电压 (Vgs)：20V (±V) - 阈值电压 (Vth)：1.54V - 封装类型：SOP8 应用简介： AO4438-VB是一种N沟道MOSFET，具有适中的电压和电流承受能力。这款MOSFET适用于多种电子应用，以下是一些可能的应用领域： 1. 电源模块：AO4438-VB可以用于小型电源模块中的功率开关，帮助提高电源管理的效率，适用于便携式设备、嵌入式系

型号：AP9997GK-VB 丝印：VBJ1101M 品牌：VBsemi 参数： - 类型：N沟道 - 额定电压（Vds）：100V - 最大持续电流（Id）：5A - 导通电阻（RDS(ON)）：100mΩ @ 10V - 门源电压范围（Vgs）：20V（正负） - 阈值电压范围（Vth）：2-4V - 封装：SOT223 应用简介： AP9997GK-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有较高的额定电压和适度电流承受能力。它适用于多种应用，特别是需要高电压开关和电流控制的领域。 详细参数说明： 1. **类型**：这是一款N沟道MOSFET，意味着它在输入

型号：PHD78NQ03LT-VB 丝印：VBE1307 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 最大耐压：30V - 最大持续电流：60A - 开通电阻（RDS(ON)）：10mΩ @ 10Vgs、11mΩ @ 4.5Vgs - 阈值电压（Vth）：1.6V - 封装类型：TO252 应用简介： PHD78NQ03LT-VB是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高电流承受能力和低开通电阻，适用于多种高功率电子应用。以下是它的一些主要应用领域： 1. 电源模块：这款MOSFET的低开通电阻和高电流承受能力使其非常适合用于电

型号：FDD3680-VB 丝印：VBE1104N 品牌：VBsemi **参数说明：** - 极性：N沟道 - 额定电压（Vds）：100V - 额定电流（Id）：40A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V - 门源极电压（Vgs）：-20V 至 20V - 阈值电压（Vth）：1.8V - 封装类型：TO252 **应用简介：** FDD3680-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块： 1. **电源开关模块：** 由于其高额定电压和电流承载能力，FDD3680-VB非常适用于电源开关模块，如DC-DC变

型号: DMG2305UX-VB 丝印: VB2355 品牌: VBsemi 详细参数说明: - 沟道类型: P沟道 - 额定电压: -30V - 最大电流: -5.6A - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V - 门源电压 (Vgs): ±20V - 阈值电压 (Vth): -1V - 封装类型: SOT23 应用简介: DMG2305UX-VB是一款P沟道场效应晶体管，广泛用于各种电子领域中的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域： 1. **电源开关**: DMG2305UX-VB可用于电源开关电路，帮助控制电源的开关状态，实现高效的电源管理。 2. **电池保护**: 在便携

型号：TSM2314CX-RF-VB 丝印：VB1240 品牌：VBsemi 参数： - 类型：N沟道 - 最大耐压：20V - 最大电流：6A - 静态开启电阻 (RDS(ON))：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V - 门源极电压 (Vgs)：8V (±V) - 阈值电压 (Vth)：0.45~1V - 封装类型：SOT23 应用简介： TSM2314CX-RF-VB是一种N沟道MOSFET，具有较低的导通电阻和适中的电压和电流额定值。它适用于多种电子领域的应用，特别是需要低电阻和高性能的场合。以下是一些可能的应用领域： 1. 电源模块：TSM2314CX-RF-VB可以用于电源模块中的功率开

详细参数说明： - 型号： IPP084N06L3 G-VB - 丝印： VBM1606 - 品牌： VBsemi - 参数： N沟道、60V、120A、RDS(ON)、5mΩ@10V、44mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、3.6Vth(V)、TO220 应用简介： IPP084N06L3 G-VB是一款N沟道功率电晶体，其主要应用于需要调节或开关大电流的电路中。由于其低导通电阻和高耐压特性，适用于高负载和高功率的应用。该产品可以用于各种领域的模块中，包括但不限于电源模块、工业自动化模块、电动车辆模块和照明模块等。 具体应用领域模块举例： 1. 电源模块

型号： SQD40P10-40L-GE3-VB 丝印： VBE2104N 品牌： VBsemi 参数： P沟道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36mΩ@4.5V，20Vgs(± V)；-1.92Vth(V)；TO252 详细参数说明： - 型号： SQD40P10-40L-GE3-VB - 功能类型： P沟道功率MOSFET - 最大电压： -100V - 最大电流： -40A - 开通电阻： 33mΩ @ 10V，36mΩ @ 4.5V - 栅源电压： ±20V - 阈值电压： -1.92V - 封装： TO252 应用简介： 这款 SQD40P10-40L-GE3-VB 产品是一种 P沟道功率MOSFET，适用于多种领域的模块中。其具有低电阻（低RDS(ON)）和高电流特性，可在

型号： NCE60P25K-VB 丝印： VBE2658 品牌：VBsemi 参数说明： - 沟道类型：P沟道 - 额定电压：-60V - 额定电流：-22A - 导通电阻：48mΩ@10V, 57mΩ@4.5V - 阈值电压：-1.5Vth(V) - 封装类型：TO252 应用简介： NCE60P25K-VB是一款具有P沟道结构的功率MOSFET。它具有负向-60V的额定电压和-22A的额定电流，适用于需要控制P沟道MOSFET进行功率开关的应用场景。该器件的导通电阻在10V电压下为48mΩ，在4.5V电压下为57mΩ，能够提供低电阻和高效能的特性。阈值电压为-1.5Vth(V)，能够实现精

AO4606-VB是VBsemi品牌的N+P沟道MOSFET。其丝印为VBA5325。以下是其详细参数说明和应用简介： 1. 参数说明： - 型号：AO4606-VB - 丝印：VBA5325 - 品牌：VBsemi - 沟道类型：N+P - 工作电压：±30V - 额定电流：9A (正向电流)，-6A (负向电流) - 导通电阻：15mΩ @ 10V (正向电压)，42mΩ @ 10V (负向电压) - 导通电阻：19mΩ @ 4.5V (正向电压)，50mΩ @ 4.5V (负向电压) - 额定电压：20Vgs (正向电压范围) - 临界电压：±1.65Vth (阈值电压) - 封装类型：SOP8 2. 应用简介： AO4606-VB MOSFET可用于多种

型号：NCE40P40K-VB 丝印：VBE2412 品牌：VBsemi 详细参数说明： - P沟道 - 额定电压：-40V - 额定电流：-65A - 开启电阻：10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20Vgs(±V) - 阈值电压：-1.6Vth(V) - 封装形式：TO252 应用简介： NCE40P40K-VB是一种P沟道功率MOSFET，适用于各种高功率应用。其主要特点是低开启电阻和大电流能力，能够承受较高的电压。该器件广泛应用于以下领域模块： 1. 电源和逆变器模块：NCE40P40K-VB可用于开关电源、逆变器、电源管理和电源控制模块中，提供高效的功率开关

型号： SSF2341E-VB 丝印： VB2290 品牌： VBsemi 参数说明： - 沟道类型：P沟道 - 最大耐压：-20V - 最大电流：-4A - 开通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V - 门源极电压：12Vgs (±V) - 阈值电压：-0.81Vth (V) - 封装类型：SOT23 应用简介： 该型号的VBsemi丝印为VB2290的P沟道场效应管适用于各种需要在低电压和低功耗工作的领域模块。它可应用于以下领域模块中： 1. 电源管理模块：由于其低沟道电阻和可靠的性能，该场效应管可用于各类电源管理设备，如电源开关、稳压器、D

型号： AO4286-VB 丝印： VBA1104N 品牌： VBsemi 详细参数说明： - 类型： N沟道MOSFET - 额定电压： 100V - 额定电流： 9A - 开态电阻： 32mΩ @ 10V, 34mΩ @ 4.5V - 门源电压范围： ±20V - 阈值电压： 1.87V - 封装： SOP8 应用简介： AO4286-VB是一款N沟道MOSFET，适用于各种电子设备和系统。它的主要功能是作为电流开关，用于控制电流的通断。具有低开态电阻和高电流承受能力，适用于高功率应用。其高压和高速开关特性使其在各种应用中表现出色。 主要应用领域模块： 1.

型号： SM4307PSKC-TRG-VB 丝印： VBA2311 品牌： VBsemi 详细参数说明： - P沟道 - 工作电压：-30V - 工作电流：-11A - 导通电阻：10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs(±V) - 阈值电压：-1.42Vth(V) - 封装： SOP8 应用简介： SM4307PSKC-TRG-VB是一款P沟道MOSFET。它具有高电压、高电流、低导通电阻和低阈值电压的特点，适合在各种应用中使用。 这个型号的产品适用于以下领域模块： 1. 电源模块：由于SM4307PSKC-TRG-VB工作电压高达-30V，工作电流可达-11A，因此适用于各种电源模块，包括开

ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET。丝印为VBE1307，具有以下详细参数： - 额定电压（Vds）：30V - 额定电流（Id）：60A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.6V - 封装类型：TO252 该器件适用于许多领域和模块应用，如： - 电源模块：ISL9N310AD3ST-VB的高额定电流和低静态导通电阻使其成为高性能电源模块的理想选择。它能够提供低损耗的功率开关和效率较高的转换器。 - 电机驱动：由于具有高电流承载能力

型号： SSC8035GS6-VB 丝印： VB2355 品牌： VBsemi 详细参数说明： - P沟道 - 最大耐压：-30V - 最大漏极电流：-5.6A - 漏极-源极电阻：47mΩ @ 10V、56mΩ @ 4.5V - 最大栅极源极电压：±20V - 阈值电压：-1V - 封装：SOT23 应用简介： 该产品是一款P沟道MOSFET，适用于各种领域的电子设备模块。其主要特点是低漏极-源极电阻和高耐压能力。通过控制栅极电压，能实现漏极-源极之间的导通开关。可用于功率放大、电流控制和开关驱动等应用场景。 该产品适用于以下领域模块

型号： SI9435DY-T1-E3-VB 丝印： VBA2333 品牌： VBsemi 参数： - P沟道 - 工作电压：-30V - 工作电流：-6A - 开通电阻：40mΩ@10V，54mΩ@4.5V，20Vgs(±V) - 阈值电压：-1.5Vth(V) - 封装：SOP8 详细参数说明： 1. 本产品为P沟道MOSFET，适用于负极性电压应用。 2. 工作电压为-30V，可在-30V的电压范围内稳定工作。 3. 最大工作电流为-6A，允许通过的最大电流为6A。 4. 开通电阻为40mΩ@10V和54mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，表示在不同电压下的导通状态时的电阻值。 5. 阈值电压为-1.5Vth(V)，表示正

丝印： VB2355 品牌：VBsemi 型号： SPP3407DS23RGB-VB 参数说明： - 电源电压（Vds）：-30V - 电流（Id）：-5.6A - 开关电阻（RDS(ON)）：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V - 硅门压（Vgs(±V)）：20V - 硅门阈值电压（Vth）：-1V - 封装类型：SOT23 应用简介： SPP3407DS23RGB-VB是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。它具有低电阻、高电流处理能力，适用于各种需要进行开关控制或功率放大的应用。 该产品主要应用于以下领域模块： 1. 电源模块：由于SPP3407DS23RGB-VB能够承

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型号： AM4392N-T1-PF-VB 丝印： VBA1203M 品牌： VBsemi 详细参数说明： - 沟道类型： N沟道 - 额定电压： 200V - 额定电流： 3A - 开态电阻： 300mΩ@10V, 360mΩ@4.5V - 门源电压范围： 20Vgs(±V) - 阈值电压范围： 2~4Vth(V) - 封装类型： SOP8 应用简介： 该型号的AM4392N-T1-PF-VB MOSFET适用于各种领域模块中的电路设计，其具有以下特点： 1. N沟道类型使其适用于N沟道场效应晶体管所需的电路设计。 2. 高额定电压和电流使其适用于高压、高电流的应用场景。 3. 低RDS(ON)值（300mΩ

详细参数说明： - 型号：FDC6312P-VB - 丝印：VB4290 - 品牌：VBsemi - 参数： - 2个P沟道 - 工作电压：-20V - 工作电流：-4A - 导通电阻：75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V - 门源极电压范围：12Vgs (±V) - 阈值电压范围：-1.2 ~ -2.2Vth(V) - 封装：SOT23-6 应用简介： 这款FDC6312P-VB型号的晶体管适用于需要P沟道的场合，可以用于各种需要控制电流和电压的应用。其主要应用领域包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理模块：FDC6312P-VB晶体管可用于设备电源管理模块，主要用于控制电源

型号： NTD5865NL-1G-VB 丝印： VBFB1615 品牌： VBsemi 参数： - 类型： N沟道 - 额定电压： 60V - 额定电流： 50A - 开通电阻： 10mΩ@10V, 12mΩ@4.5V, 20Vgs(±V) - 门电压阈值： 1.94Vth(V) - 封装类型： TO251 应用简介: NTD5865NL-1G-VB是一款N沟道MOSFET，具有60V的额定电压和50A的额定电流。它的开通电阻在不同电压下具有较低的值，分别为10mΩ@10V和12mΩ@4.5V。此外，它的门电压阈值为1.94V，适用于各种门电压驱动电路。 该产品可以应用于以下领域模块： 1. 电源供应模块：由于NTD586

型号： APM2701AC-VB 丝印： VB5222 品牌：VBsemi 参数说明： - 沟道类型：N+P沟道 - 最大电压：±20V - 最大电流：7A正向，4.5A反向 - 开通电阻：20mΩ @ 4.5V，70mΩ @ 4.5V - 关断电阻：29mΩ @ 2.5V，106mΩ @ 2.5V - 门源电压：20V - 阈值电压：0.71V正向，-0.81V反向 - 封装：SOT23-6 应用简介： APM2701AC-VB是一款N+P沟道功率场效应管，具有高耐压和大电流承受能力。主要适用于需要对电压和电流进行稳定控制的电路。 该产品可广泛应用于以下领域模块： 1. 电源模块：由于具有高耐

型号：SI9948AEY-T1-E3 丝印：VBA4658 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 极性：2个P沟道 - 额定电压：-60V - 额定电流：-5.3A - 开通电阻（RDS(ON)）：58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V - 额定栅极-源极电压（Vgs）：20V (±V) - 阈值电压（Vth）：-1~-3V - 封装类型：SOP8 应用简介： SI9948AEY-T1-E3是一款具有两个P沟道MOSFET的器件，具有高电压和高电流能力，适用于各种领域的模块应用。其特点包括低导通电阻和快速开关速度。 主要应用领域： 1. 电源模块：SI9948AEY-T1-E3可用于电源模块中的开

型号：NTR4170NT1G 丝印：VB1330 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：N沟道MOSFET - 最大耐压：30V - 最大电流：6.5A - 导通电阻：30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：1.2~2.2Vth - 封装：SOT23 应用简介： NTR4170NT1G是一款N沟道MOSFET，适用于中等电压和中等电流的应用。其最大耐压为30V，最大电流为6.5A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： 1. 电源管理模块：适用于低电压电源开关和电池管理系统等。 2. 照明模块

型号：SI2323DDS-T1-GE3 丝印：VB2355 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：P沟道 - 额定电压：-30V - 额定电流：-5.6A - 导通电阻：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：-1V - 封装类型：SOT23 详细参数说明： SI2323DDS-T1-GE3是一款P沟道MOS管，适用于最大-30V的工作电压，最大-5.6A的电流承载能力。其导通电阻在10V下为47mΩ，4.5V下为56mΩ。阈值电压为-1V，需要在控制电压小于该阈值时才能实现正常导通。封装类型为SOT23。 应用简介： SI2323DDS-T1-GE3适用于需要低电压和中

型号：RRQ030P03TR 丝印：VB8338 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：P沟道 - 额定电压：-30V - 额定电流：-4.8A - RDS(ON)：49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V - 门源电压范围：20V - 门源阈值电压范围：-1V~-3V - 封装类型：SOT23-6 应用简介： RRQ030P03TR（丝印：VB8338）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： RRQ030P03TR是一款P沟道功率MOSFET，适用于需要P沟道功率MOSFET的电路设计。主要参数包括额定电压为-30V，额定电流为-4.8A，RDS(ON)为4

型号：UD6004 丝印：VBE1638 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：60V - 额定电流：45A - 导通电阻：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：1.8V - 封装类型：TO252 详细参数说明： UD6004是一款N沟道MOS管，适用于最大60V的工作电压，最大45A的电流承载能力。其导通电阻在10V下为24mΩ，4.5V下为28mΩ。阈值电压为1.8V，需要在控制电压大于该阈值时才能实现正常导通。封装类型为TO252。 应用简介： UD6004适用于中等电压和高电流应用领域，比如电源开

型号：AP6679GH 丝印：VBE2309 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 极性：P沟道 - 额定电压：-30V - 额定电流：-60A - 开通电阻（RDS(ON)）：9mΩ @ 10V, 12mΩ @ 4.5V - 额定栅极-源极电压（Vgs）：20V (±V) - 阈值电压（Vth）：-1.71V - 封装类型：TO252 应用简介： AP6679GH是一款P沟道MOSFET，具有高电流能力和低导通电阻，适用于各种领域的模块应用。它具有高效能够提供高效的功率开关和电流控制。 主要应用领域： 1. 电源模块：AP6679GH可用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等电源

型号：IRF8788TRPBF 丝印：VBA1302 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：N沟道MOSFET - 最大耐压：30V - 最大电流：20A - 导通电阻：4mΩ@10V, 4.5mΩ@4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：1.78Vth - 封装：SOP8 应用简介： IRF8788TRPBF 是一款 N沟道MOSFET，适用于高电流的应用。其最大耐压为30V，最大电流为20A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： 1. 电源管理模块：适用于负责电源开关和电池管理系统等。 2. 电动工具：可用于电动工

型号：IRLML2502RP 丝印：VB1240 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 极性：N沟道 - 额定电压：20V - 额定电流：6A - 开通电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V - 额定栅极-源极电压（Vgs）：8V (±V) - 阈值电压（Vth）：0.45~1V - 封装类型：SOT23 应用简介： IRLML2502RP是一款具有高性能的N沟道MOSFET。它具有低开通电阻、低栅极-源极电压和低阈值电压，适用于各种领域的模块应用。 主要应用领域： 1. 电源模块：IRLML2502RP可以用于电源模块中的开关电源、DC-DC转换器和逆变器

型号：AO7407 丝印：VBK2298 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：P沟道 - 额定电压：-20V - 额定电流：-3A - RDS(ON)：98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V - 门源电压范围：12V - 门源阈值电压范围：-0.6V~-2V - 封装类型：SC70-3 应用简介： AO7407（丝印：VBK2298）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： AO7407是一款P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-20V，额定电流为-3A，RDS(ON)为98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V，门源电压范围为12V，门

AM2336N-T1-PF详细参数说明： - 极性：N沟道 - 额定电压：30V - 额定电流：6.5A - 导通电阻：30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 阈值电压：1.2~2.2Vth (V) - 封装类型：SOT23 应用简介： AM2336N-T1-PF是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有较高的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。 通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。具有较低的导通电阻，有

型号：NDS9407-NL 丝印：VBA2658 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：P沟道MOSFET - 最大耐压：-60V - 最大电流：-6A - 导通电阻：50mΩ@10V, 61mΩ@4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：-1.5Vth - 封装：SOP8 应用简介： NDS9407-NL是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-60V，最大电流为-6A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： 1. 电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。

型号：NTS4101PT1G 丝印：VBK2298 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：P沟道 - 额定电压：-20V - 额定电流：-3A - RDS(ON)：98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V - 门源电压范围：12V - 门源阈值电压范围：-0.6V~-2V - 封装类型：SC70-3 应用简介： NTS4101PT1G（丝印：VBK2298）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： NTS4101PT1G是一款P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-20V，额定电流为-3A，RDS(ON)为98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V，门源电压范

AP2309GN详细参数说明： - 极性：P沟道 - 额定电压：-30V - 额定电流：-5.6A - 导通电阻：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 阈值电压：-1Vth (V) - 封装类型：SOT23 应用简介： AP2309GN是一款P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有负的额定电压和额定电流特性，能够实现可靠且高效的电流开关功能。 通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，从而实现电流的控制和开关状态的转换。所具有的较低导通电阻有助于降

XP132A1275SR详细参数说明： - 极性：P沟道 - 额定电压：-20V - 额定电流：-8A - 导通电阻：16mΩ @ 4.5V, 19.2mΩ @ 2.5V - 门源电压：15Vgs (±V) - 阈值电压：-0.6~-2Vth (V) - 封装类型：SOP8 应用简介： XP132A1275SR是一款P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有负的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。 通过控制15Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。具有较低的导通电阻，降低

型号：FDT86113LZ 丝印：VBJ1101M 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：N沟道MOSFET - 最大耐压：100V - 最大电流：5A - 导通电阻：100mΩ@10V, 120mΩ@4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：2~4Vth - 封装：SOT223 应用简介： FDT86113LZ是一款N沟道MOSFET，适用于中等电压和中等电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为5A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： 1. 电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。 2.

型号：IRLR3103TRPBF 丝印：VBE1307 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：N沟道 - 额定电压：30V - 额定电流：60A - RDS(ON)：10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5V - 门源电压范围：±20V - 门源阈值电压：1.6V - 封装类型：TO252 应用简介： IRLR3103TRPBF（丝印：VBE1307）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： IRLR3103TRPBF是一款N沟道功率MOSFET，具有高电流承载能力和低导通电阻。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为60A，RDS(ON)为10mΩ @ 10V

STM4639详细参数说明： - 极性：P沟道 - 额定电压：-30V - 额定电流：-11A - 导通电阻：11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 阈值电压：-1.5Vth (V) - 封装类型：SOP8 应用简介： STM4639是一款P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。其中，它具有负的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。 通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功

型号：SQD50P06-15L-GE3 丝印：VBE2625 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：P沟道MOSFET - 最大耐压：-60V - 最大电流：-50A - 导通电阻：20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：-1.76Vth - 封装：TO252 应用简介： SQD50P06-15L-GE3是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为-60V，最大电流为-50A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： 1. 电源管理模块：适用于高功率DC-DC转换器、逆变器

型号：B09N03A 丝印：VBE1307 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：N沟道 - 额定电压：30V - 额定电流：60A - RDS(ON)：10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5V - 门源电压范围：±20V - 门源阈值电压：1.6V - 封装类型：TO252 应用简介： B09N03A（丝印：VBE1307）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： B09N03A是一款N沟道功率MOSFET，具有高电流承载能力和低导通电阻。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为60A，RDS(ON)为10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5V，

型号: FDN339AN-NL 丝印: VB1240 品牌: VBsemi 参数说明: - MOSFET类型: N沟道 - 额定电压(VDS): 20V - 额定电流(ID): 6A - 开通电阻(RDS(ON)): 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V - 阈值电压(Vth): 0.45~1V - 封装类型: SOT23 应用简介: 这款FDN339AN-NL MOSFET是一款低压N沟道MOSFET，适用于低压应用场景。它具有较低的额定电压和额定电流，适用于低功率开关和功率转换的应用。 这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块： - 电源管理模块：用于低压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等低功率电源模块。 -

型号：TPC6111 丝印：VB8338 品牌：VBsemi 参数： - 频道类型：P沟道 - 额定电压：-30V - 额定电流：-4.8A - RDS(ON)：49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V - 门源电压范围：±20V - 门源阈值电压范围：-1V~-3V - 封装类型：SOT23-6 应用简介： TPC6111（丝印：VB8338）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介： 详细参数说明： TPC6111是一款P沟道功率MOSFET，具有低电导压降和高电流承载能力。主要参数包括额定电压为-30V，额定电流为-4.8A，RDS(ON)为49mΩ @ 10V，5

型号：15N10 TO251 丝印：VBFB1101M 品牌：VBsemi 详细参数说明： - 类型：N沟道MOSFET - 最大耐压：100V - 最大电流：15A - 导通电阻：115mΩ @10V, 120mΩ @4.5V - 门源电压：20Vgs (±V) - 门阈电压：1.41Vth - 封装：TO251 应用简介： 15N10 TO251是一款N沟道MOSFET，适用于中等电压和大电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为15A，具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括： - 电源管理模块：适用于中等电压电源开关和电池管理系统。 - 电动工具