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0型号:PHP225-VB 丝印:VBA4338 品牌:VBsemi **参数说明:** - 极性:2个P沟道 - 额定电压(Vds):-30V - 额定电流(Id):-7A - 静态导通电阻(RDS(ON)):35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V - 门源极电压(Vgs):-20V 至 20V - 阈值电压(Vth):-1.5V - 封装类型:SOP8 **应用简介:** PHP225-VB是一款双P沟道MOSFET,具有广泛的应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块: 1. **电源开关模块:** 由于其P沟道MOSFET特性,PHP225-VB可用于电源开关模块,如DC-DC变换器和开关稳压器。这
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0型号: SI2356DS-T1-GE3-VB 丝印: VB1330 品牌: VBsemi 详细参数说明: - 沟道类型: N沟道 - 额定电压: 30V - 最大电流: 6.5A - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V - 门源电压 (Vgs): ±20V - 阈值电压 (Vth): 1.2~2.2V - 封装类型: SOT23 应用简介: SI2356DS-T1-GE3-VB是一款N沟道场效应晶体管,适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域: 1. **电源开关**: 这款晶体管可用于电源开关电路,帮助实现高效的电源控制和管理,特别适用于便携式设备和电源管
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0型号:AO4438-VB 丝印:VBA1630 品牌:VBsemi 参数: - 类型:N沟道 - 最大耐压:60V - 最大电流:7.6A - 静态开启电阻 (RDS(ON)):27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V - 门源极电压 (Vgs):20V (±V) - 阈值电压 (Vth):1.54V - 封装类型:SOP8 应用简介: AO4438-VB是一种N沟道MOSFET,具有适中的电压和电流承受能力。这款MOSFET适用于多种电子应用,以下是一些可能的应用领域: 1. 电源模块:AO4438-VB可以用于小型电源模块中的功率开关,帮助提高电源管理的效率,适用于便携式设备、嵌入式系
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0型号:FDD3680-VB 丝印:VBE1104N 品牌:VBsemi **参数说明:** - 极性:N沟道 - 额定电压(Vds):100V - 额定电流(Id):40A - 静态导通电阻(RDS(ON)):30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V - 门源极电压(Vgs):-20V 至 20V - 阈值电压(Vth):1.8V - 封装类型:TO252 **应用简介:** FDD3680-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块: 1. **电源开关模块:** 由于其高额定电压和电流承载能力,FDD3680-VB非常适用于电源开关模块,如DC-DC变
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0型号: DMG2305UX-VB 丝印: VB2355 品牌: VBsemi 详细参数说明: - 沟道类型: P沟道 - 额定电压: -30V - 最大电流: -5.6A - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V - 门源电压 (Vgs): ±20V - 阈值电压 (Vth): -1V - 封装类型: SOT23 应用简介: DMG2305UX-VB是一款P沟道场效应晶体管,广泛用于各种电子领域中的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域: 1. **电源开关**: DMG2305UX-VB可用于电源开关电路,帮助控制电源的开关状态,实现高效的电源管理。 2. **电池保护**: 在便携
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0型号:TSM2314CX-RF-VB 丝印:VB1240 品牌:VBsemi 参数: - 类型:N沟道 - 最大耐压:20V - 最大电流:6A - 静态开启电阻 (RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V - 门源极电压 (Vgs):8V (±V) - 阈值电压 (Vth):0.45~1V - 封装类型:SOT23 应用简介: TSM2314CX-RF-VB是一种N沟道MOSFET,具有较低的导通电阻和适中的电压和电流额定值。它适用于多种电子领域的应用,特别是需要低电阻和高性能的场合。以下是一些可能的应用领域: 1. 电源模块:TSM2314CX-RF-VB可以用于电源模块中的功率开
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0型号: SQD40P10-40L-GE3-VB 丝印: VBE2104N 品牌: VBsemi 参数: P沟道,-100V,-40A,RDS(ON),33mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(± V);-1.92Vth(V);TO252 详细参数说明: - 型号: SQD40P10-40L-GE3-VB - 功能类型: P沟道功率MOSFET - 最大电压: -100V - 最大电流: -40A - 开通电阻: 33mΩ @ 10V,36mΩ @ 4.5V - 栅源电压: ±20V - 阈值电压: -1.92V - 封装: TO252 应用简介: 这款 SQD40P10-40L-GE3-VB 产品是一种 P沟道功率MOSFET,适用于多种领域的模块中。其具有低电阻(低RDS(ON))和高电流特性,可在
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0型号: NCE60P25K-VB 丝印: VBE2658 品牌:VBsemi 参数说明: - 沟道类型:P沟道 - 额定电压:-60V - 额定电流:-22A - 导通电阻:48mΩ@10V, 57mΩ@4.5V - 阈值电压:-1.5Vth(V) - 封装类型:TO252 应用简介: NCE60P25K-VB是一款具有P沟道结构的功率MOSFET。它具有负向-60V的额定电压和-22A的额定电流,适用于需要控制P沟道MOSFET进行功率开关的应用场景。该器件的导通电阻在10V电压下为48mΩ,在4.5V电压下为57mΩ,能够提供低电阻和高效能的特性。阈值电压为-1.5Vth(V),能够实现精
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0AO4606-VB是VBsemi品牌的N+P沟道MOSFET。其丝印为VBA5325。以下是其详细参数说明和应用简介: 1. 参数说明: - 型号:AO4606-VB - 丝印:VBA5325 - 品牌:VBsemi - 沟道类型:N+P - 工作电压:±30V - 额定电流:9A (正向电流),-6A (负向电流) - 导通电阻:15mΩ @ 10V (正向电压),42mΩ @ 10V (负向电压) - 导通电阻:19mΩ @ 4.5V (正向电压),50mΩ @ 4.5V (负向电压) - 额定电压:20Vgs (正向电压范围) - 临界电压:±1.65Vth (阈值电压) - 封装类型:SOP8 2. 应用简介: AO4606-VB MOSFET可用于多种
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0型号: SM4307PSKC-TRG-VB 丝印: VBA2311 品牌: VBsemi 详细参数说明: - P沟道 - 工作电压:-30V - 工作电流:-11A - 导通电阻:10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs(±V) - 阈值电压:-1.42Vth(V) - 封装: SOP8 应用简介: SM4307PSKC-TRG-VB是一款P沟道MOSFET。它具有高电压、高电流、低导通电阻和低阈值电压的特点,适合在各种应用中使用。 这个型号的产品适用于以下领域模块: 1. 电源模块:由于SM4307PSKC-TRG-VB工作电压高达-30V,工作电流可达-11A,因此适用于各种电源模块,包括开
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0型号: SI9435DY-T1-E3-VB 丝印: VBA2333 品牌: VBsemi 参数: - P沟道 - 工作电压:-30V - 工作电流:-6A - 开通电阻:40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V) - 阈值电压:-1.5Vth(V) - 封装:SOP8 详细参数说明: 1. 本产品为P沟道MOSFET,适用于负极性电压应用。 2. 工作电压为-30V,可在-30V的电压范围内稳定工作。 3. 最大工作电流为-6A,允许通过的最大电流为6A。 4. 开通电阻为40mΩ@10V和54mΩ@4.5V,20Vgs(±V),表示在不同电压下的导通状态时的电阻值。 5. 阈值电压为-1.5Vth(V),表示正
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0丝印: VB2355 品牌:VBsemi 型号: SPP3407DS23RGB-VB 参数说明: - 电源电压(Vds):-30V - 电流(Id):-5.6A - 开关电阻(RDS(ON)):47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V - 硅门压(Vgs(±V)):20V - 硅门阈值电压(Vth):-1V - 封装类型:SOT23 应用简介: SPP3407DS23RGB-VB是一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。它具有低电阻、高电流处理能力,适用于各种需要进行开关控制或功率放大的应用。 该产品主要应用于以下领域模块: 1. 电源模块:由于SPP3407DS23RGB-VB能够承
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0型号: AM4392N-T1-PF-VB 丝印: VBA1203M 品牌: VBsemi 详细参数说明: - 沟道类型: N沟道 - 额定电压: 200V - 额定电流: 3A - 开态电阻: 300mΩ@10V, 360mΩ@4.5V - 门源电压范围: 20Vgs(±V) - 阈值电压范围: 2~4Vth(V) - 封装类型: SOP8 应用简介: 该型号的AM4392N-T1-PF-VB MOSFET适用于各种领域模块中的电路设计,其具有以下特点: 1. N沟道类型使其适用于N沟道场效应晶体管所需的电路设计。 2. 高额定电压和电流使其适用于高压、高电流的应用场景。 3. 低RDS(ON)值(300mΩ
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0详细参数说明: - 型号:FDC6312P-VB - 丝印:VB4290 - 品牌:VBsemi - 参数: - 2个P沟道 - 工作电压:-20V - 工作电流:-4A - 导通电阻:75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V - 门源极电压范围:12Vgs (±V) - 阈值电压范围:-1.2 ~ -2.2Vth(V) - 封装:SOT23-6 应用简介: 这款FDC6312P-VB型号的晶体管适用于需要P沟道的场合,可以用于各种需要控制电流和电压的应用。其主要应用领域包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理模块:FDC6312P-VB晶体管可用于设备电源管理模块,主要用于控制电源
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0型号: NTD5865NL-1G-VB 丝印: VBFB1615 品牌: VBsemi 参数: - 类型: N沟道 - 额定电压: 60V - 额定电流: 50A - 开通电阻: 10mΩ@10V, 12mΩ@4.5V, 20Vgs(±V) - 门电压阈值: 1.94Vth(V) - 封装类型: TO251 应用简介: NTD5865NL-1G-VB是一款N沟道MOSFET,具有60V的额定电压和50A的额定电流。它的开通电阻在不同电压下具有较低的值,分别为10mΩ@10V和12mΩ@4.5V。此外,它的门电压阈值为1.94V,适用于各种门电压驱动电路。 该产品可以应用于以下领域模块: 1. 电源供应模块:由于NTD586
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0型号: APM2701AC-VB 丝印: VB5222 品牌:VBsemi 参数说明: - 沟道类型:N+P沟道 - 最大电压:±20V - 最大电流:7A正向,4.5A反向 - 开通电阻:20mΩ @ 4.5V,70mΩ @ 4.5V - 关断电阻:29mΩ @ 2.5V,106mΩ @ 2.5V - 门源电压:20V - 阈值电压:0.71V正向,-0.81V反向 - 封装:SOT23-6 应用简介: APM2701AC-VB是一款N+P沟道功率场效应管,具有高耐压和大电流承受能力。主要适用于需要对电压和电流进行稳定控制的电路。 该产品可广泛应用于以下领域模块: 1. 电源模块:由于具有高耐
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0型号:SI9948AEY-T1-E3 丝印:VBA4658 品牌:VBsemi 详细参数说明: - 极性:2个P沟道 - 额定电压:-60V - 额定电流:-5.3A - 开通电阻(RDS(ON)):58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V - 额定栅极-源极电压(Vgs):20V (±V) - 阈值电压(Vth):-1~-3V - 封装类型:SOP8 应用简介: SI9948AEY-T1-E3是一款具有两个P沟道MOSFET的器件,具有高电压和高电流能力,适用于各种领域的模块应用。其特点包括低导通电阻和快速开关速度。 主要应用领域: 1. 电源模块:SI9948AEY-T1-E3可用于电源模块中的开
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0型号:SI2323DDS-T1-GE3 丝印:VB2355 品牌:VBsemi 参数: - 沟道类型:P沟道 - 额定电压:-30V - 额定电流:-5.6A - 导通电阻:47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压:-1V - 封装类型:SOT23 详细参数说明: SI2323DDS-T1-GE3是一款P沟道MOS管,适用于最大-30V的工作电压,最大-5.6A的电流承载能力。其导通电阻在10V下为47mΩ,4.5V下为56mΩ。阈值电压为-1V,需要在控制电压小于该阈值时才能实现正常导通。封装类型为SOT23。 应用简介: SI2323DDS-T1-GE3适用于需要低电压和中
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0型号:RRQ030P03TR 丝印:VB8338 品牌:VBsemi 参数: - 频道类型:P沟道 - 额定电压:-30V - 额定电流:-4.8A - RDS(ON):49mΩ @ 10V,54mΩ @ 4.5V - 门源电压范围:20V - 门源阈值电压范围:-1V~-3V - 封装类型:SOT23-6 应用简介: RRQ030P03TR(丝印:VB8338)是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介: 详细参数说明: RRQ030P03TR是一款P沟道功率MOSFET,适用于需要P沟道功率MOSFET的电路设计。主要参数包括额定电压为-30V,额定电流为-4.8A,RDS(ON)为4
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0型号:IRLML2502RP 丝印:VB1240 品牌:VBsemi 详细参数说明: - 极性:N沟道 - 额定电压:20V - 额定电流:6A - 开通电阻(RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V - 额定栅极-源极电压(Vgs):8V (±V) - 阈值电压(Vth):0.45~1V - 封装类型:SOT23 应用简介: IRLML2502RP是一款具有高性能的N沟道MOSFET。它具有低开通电阻、低栅极-源极电压和低阈值电压,适用于各种领域的模块应用。 主要应用领域: 1. 电源模块:IRLML2502RP可以用于电源模块中的开关电源、DC-DC转换器和逆变器
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0型号:AO7407 丝印:VBK2298 品牌:VBsemi 参数: - 频道类型:P沟道 - 额定电压:-20V - 额定电流:-3A - RDS(ON):98mΩ @ 4.5V,117.6mΩ @ 2.5V - 门源电压范围:12V - 门源阈值电压范围:-0.6V~-2V - 封装类型:SC70-3 应用简介: AO7407(丝印:VBK2298)是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介: 详细参数说明: AO7407是一款P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-20V,额定电流为-3A,RDS(ON)为98mΩ @ 4.5V,117.6mΩ @ 2.5V,门源电压范围为12V,门
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0型号:NTS4101PT1G 丝印:VBK2298 品牌:VBsemi 参数: - 频道类型:P沟道 - 额定电压:-20V - 额定电流:-3A - RDS(ON):98mΩ @ 4.5V,117.6mΩ @ 2.5V - 门源电压范围:12V - 门源阈值电压范围:-0.6V~-2V - 封装类型:SC70-3 应用简介: NTS4101PT1G(丝印:VBK2298)是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介: 详细参数说明: NTS4101PT1G是一款P沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为-20V,额定电流为-3A,RDS(ON)为98mΩ @ 4.5V,117.6mΩ @ 2.5V,门源电压范
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0型号:IRLR3103TRPBF 丝印:VBE1307 品牌:VBsemi 参数: - 频道类型:N沟道 - 额定电压:30V - 额定电流:60A - RDS(ON):10mΩ @ 10V,11mΩ @ 4.5V - 门源电压范围:±20V - 门源阈值电压:1.6V - 封装类型:TO252 应用简介: IRLR3103TRPBF(丝印:VBE1307)是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介: 详细参数说明: IRLR3103TRPBF是一款N沟道功率MOSFET,具有高电流承载能力和低导通电阻。主要参数包括额定电压为30V,额定电流为60A,RDS(ON)为10mΩ @ 10V
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0型号:SQD50P06-15L-GE3 丝印:VBE2625 品牌:VBsemi 详细参数说明: - 类型:P沟道MOSFET - 最大耐压:-60V - 最大电流:-50A - 导通电阻:20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V - 门源电压:20Vgs (±V) - 门阈电压:-1.76Vth - 封装:TO252 应用简介: SQD50P06-15L-GE3是一款P沟道MOSFET,适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为-60V,最大电流为-50A,具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括: 1. 电源管理模块:适用于高功率DC-DC转换器、逆变器
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0型号:B09N03A 丝印:VBE1307 品牌:VBsemi 参数: - 频道类型:N沟道 - 额定电压:30V - 额定电流:60A - RDS(ON):10mΩ @ 10V,11mΩ @ 4.5V - 门源电压范围:±20V - 门源阈值电压:1.6V - 封装类型:TO252 应用简介: B09N03A(丝印:VBE1307)是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介: 详细参数说明: B09N03A是一款N沟道功率MOSFET,具有高电流承载能力和低导通电阻。主要参数包括额定电压为30V,额定电流为60A,RDS(ON)为10mΩ @ 10V,11mΩ @ 4.5V,
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0型号: FDN339AN-NL 丝印: VB1240 品牌: VBsemi 参数说明: - MOSFET类型: N沟道 - 额定电压(VDS): 20V - 额定电流(ID): 6A - 开通电阻(RDS(ON)): 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V - 阈值电压(Vth): 0.45~1V - 封装类型: SOT23 应用简介: 这款FDN339AN-NL MOSFET是一款低压N沟道MOSFET,适用于低压应用场景。它具有较低的额定电压和额定电流,适用于低功率开关和功率转换的应用。 这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块: - 电源管理模块:用于低压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等低功率电源模块。 -
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0型号:TPC6111 丝印:VB8338 品牌:VBsemi 参数: - 频道类型:P沟道 - 额定电压:-30V - 额定电流:-4.8A - RDS(ON):49mΩ @ 10V,54mΩ @ 4.5V - 门源电压范围:±20V - 门源阈值电压范围:-1V~-3V - 封装类型:SOT23-6 应用简介: TPC6111(丝印:VB8338)是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介: 详细参数说明: TPC6111是一款P沟道功率MOSFET,具有低电导压降和高电流承载能力。主要参数包括额定电压为-30V,额定电流为-4.8A,RDS(ON)为49mΩ @ 10V,5
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