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编辑：ll 15N60-ASEMI电源管理专用15N60 型号：15N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新引脚数量：3 特性：N沟道MOS管工作温度：-55℃~150℃ 作为电力电子领域的核心组件，15N60系列MOS管凭借其优异的性能参数和广泛的应用适配性，成为新能源、工业控制及消费电子领域的热门选择。以下从核心参数、产品优势及典型应用场景展开解析：一、核心参数与性能优势高压耐受能力漏-源电压（VDSS）覆盖600V至650V范围，满足高压场景需求。部分型号（如SL15N60CF）

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13N60-ASEMI照明控制专用13N60

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编辑：LL 13N60-ASEMI照明控制专用13N60 型号：13N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F RDS(on):0.26Ω 批号：最新引脚数量：3 封装尺寸：如图特性：N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 作为电力电子领域的核心组件，13N60系列MOS管凭借其优异的性能参数和广泛的应用适配性，成为工业控制、新能源及消费电子领域的热门选择。以下从核心参数、产品优势及典型应用场景展开解析：一、核心参数与性能优势耐压与电流能力漏-源电压（VDS）：覆盖600V至650V高压范围，适应多

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BT138-ASEMI无人机专用功率器件BT138

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编辑：ll BT138-ASEMI无人机专用功率器件BT138 型号：BT138 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新引脚数量：3 特性：双向可控硅工作温度：-40℃~150℃ BT138双向可控硅采用NPNPN五层硅基结构，结合台面玻璃钝化工艺与单面挖槽技术，显著提升阻断电压能力（600-800V）和温度稳定性，适用于复杂工况下的交流控制。其TO-220AB封装支持散热片安装，满足大功率负载场景的散热需求。二、性能优势解析高功率与抗冲击能力通态电流达12A（RMS），浪涌电流最高105A（16

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BT137-ASEMI机器人功率器件专用BT137

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编辑：LL BT137-ASEMI机器人功率器件专用BT137 型号：BT137 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新引脚数量：3 封装尺寸：如图特性：双向可控硅工作结温：-40℃~150℃ BT137双向可控硅采用NPNPN五层硅基结构，结合单面挖槽技术与台面玻璃钝化工艺，实现高阻断电压（600-800V）与温度稳定性，适用于交流电的双向控制场景。其TO-220封装设计兼容性强，便于集成到各类工业及消费电子产品中。二、核心优势高压高电流承载通态电流达8A（RMS），浪涌电流高达80A

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BT136-ASEMI无人机专用功率器件BT136

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编辑：ll BT136-ASEMI无人机专用功率器件BT136 型号：BT136 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新引脚数量：3 特性：双向可控硅工作温度：-40℃~150℃ 作为电子控制领域的关键元件，BT136双向可控硅凭借其卓越性能与广泛适用性，成为家电、工业自动化及智能设备开发者的优选器件。以下从技术优势、核心应用与市场价值三方面解析其核心竞争力。一、技术优势：精准控制与高可靠性双向导通设计支持交流电路双向导通，简化调光、调速等场景的电路布局

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BT134-ASEMI机器人功率器件专用BT134

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编辑：LL BT134-ASEMI机器人功率器件专用BT134 型号：BT134 品牌：ASEMI 封装：TO-126 批号：最新引脚数量：3 封装尺寸：如图特性：双向可控硅工作结温：-40℃~150℃ 作为新一代电子控制领域的重要器件，BT134双向可控硅凭借其高性能和广泛适用性，成为家用电器、工业自动化及智能控制系统的理想选择。以下从技术特性、应用场景及市场前景三大维度解析其核心价值。一、技术亮点：性能与可靠性的双重突破双向导通能力 BT134支持正向和反向电压导通，

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BT131-ASEMI无人机专用功率器件BT131

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编辑：ll BT131-ASEMI无人机专用功率器件BT131 型号：BT131 品牌：ASEMI 封装：TO-92 批号：最新引脚数量：3 特性：双向可控硅工作温度：-40℃~150℃ 在智能化浪潮中，BT131双向可控硅以其出色的性能与广泛适用性，成为工业控制、家电制造及智能设备领域的核心器件。以下从核心技术、应用场景与产品优势三方面解读其核心竞争力。五层NPNPN结构采用单面挖槽技术与台面玻璃钝化工艺，实现800V断态重复峰值电压，耐压能力提升30%。灵敏触发与快速响应触

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97AB-ASEMI机器人功率器件专用97AB

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编辑：LL 97AB-ASEMI机器人功率器件专用97AB 型号：97AB 品牌：ASEMI 封装：TO-92 批号：最新引脚数量：3 封装尺寸：如图特性：双向可控硅工作结温：-40℃~150℃ 在智能电力控制领域，97AB双向可控硅凭借其卓越性能与可靠性，成为工业自动化、家电制造及智能家居系统的核心元件。以下从核心技术、应用场景及产品优势三方面解析其独特价值。一、核心技术：精准调控与高效能高压承载与灵敏触发 97AB双向可控硅支持800V断态重复峰值电压和8A连续有效电

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97A6-ASEMI无人机专用功率器件97A6

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编辑：ll 97A6-ASEMI无人机专用功率器件97A6 型号：97A6 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 批号：最新引脚数量：3 特性：双向可控硅工作温度：-40℃~150℃ 97A6双向可控硅：智能控制，赋能家电与工业创新在交流电控制领域，双向可控硅凭借其双向导通能力和灵活触发特性，成为调压、调速等场景的核心器件。MAC97A6作为经典小功率双向可控硅的代表，以高性价比和稳定性能，持续服务于家电升级与工业控制优化。一、产品核心特性 MAC97A6采用TO-92或SOT-23封装，专为

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2P4M-ASEMI机器人功率器件专用2P4M

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编辑：LL 2P4M-ASEMI机器人功率器件专用2P4M 型号：2P4M 品牌：ASEMI 封装：TO-126 批号：最新引脚数量：3 封装尺寸：如图特性：双向可控硅工作结温：-40℃~150℃ 在电力电子领域，可控硅作为核心开关器件，凭借其高可靠性和精准控制能力，成为工业控制、家电制造等场景的关键组件。2P4M可控硅以其独特的单向导通特性和优异的性能参数，成为中小功率设备控制的首选方案。一、产品概述 2P4M是一款单向可控硅，采用TO-252封装，内部由精密堆叠的半导体

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2P4M-ASEMI机器人功率器件专用2P4M

ASEMI99 4-27

编辑：LL 2P4M-ASEMI机器人功率器件专用2P4M 型号：2P4M 品牌：ASEMI 封装：TO-126 批号：最新引脚数量：3 封装尺寸：如图特性：双向可控硅工作结温：-40℃~150℃ 在电力电子领域，可控硅作为核心开关器件，凭借其高可靠性和精准控制能力，成为工业控制、家电制造等场景的关键组件。2P4M可控硅以其独特的单向导通特性和优异的性能参数，成为中小功率设备控制的首选方案。一、产品概述 2P4M是一款单向可控硅，采用TO-252封装，内部由精密堆叠的半导体

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BT169-ASEMI无人机专用功率器件BT169

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编辑：ll BT169-ASEMI无人机专用功率器件BT169 型号：BT169 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 批号：最新引脚数量：3 特性：单向可控硅工作温度：-40℃~150℃ BT169单向可控硅：灵敏控制与可靠性能的智慧之选作为小功率控制领域的核心器件，BT169单向可控硅凭借其灵敏触发、低功耗及紧凑设计，成为调光系统、温控设备及小型电机驱动的理想解决方案。其采用TO-92封装，支持200-600V耐压范围，额定通态电流0.8A（RMS），触发电流低至0.05-0.2mA，可满足消费电子与工业设

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BT152-ASEMI机器人率器件专用BT152

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编辑：LL BT152-ASEMI机器人率器件专用BT152 型号：BT152 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新引脚数量：3 封装尺寸：如图特性：单向可控硅工作结温：-40℃~150℃ BT152单向可控硅：精准控制与高效能的核心之选在电子元件领域，BT152单向可控硅凭借其卓越的性能和广泛的应用场景，已成为工业自动化、家用电器等领域的核心控制器件。其采用TO-220/TO-220F封装设计，支持600V至800V的耐压范围，最大通态电流达20A，触发电流低至3-32mA，可在-40℃至125℃的宽温域

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BT151-ASEMI无人机专用功率器件BT151

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编辑：ll BT151-ASEMI无人机专用功率器件BT151 型号：BT151 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新引脚数量：3 特性：单向可控硅工作温度：-40℃~150℃ BT151单向可控硅产品解析 ——高性能半导体器件，助力工业与消费电子创新一、核心参数与封装设计电压能力：断态重复峰值电压（VDRM）和重复峰值反向电压（VRRM）均为650V16，部分型号（如BT151-500R）兼容500V规格，适用于中高压场景。电流性能： RMS导通电流（IT(RMS)）为12A，平均导通电流（IT(AV)）7.5A；非重

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BT150-ASEMI机器人率器件专用BT150

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编辑：LL BT150-ASEMI机器人率器件专用BT150 型号：BT150 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新引脚数量：3 封装尺寸：如图特性：单向可控硅工作结温：-40℃~150℃ BT150单向可控硅产品解析 ——精准可控，赋能中小功率设备高效运行一、核心参数与封装特性电压能力：断态重复峰值电压（VDRM）达600V，反向重复峰值电压（VRRM）高达800V，适用于中压电路场景。电流性能：额定正向平均电流（IT(AV)）为4A，RMS导通电流（IT(RMS)）12A，兼顾稳定与瞬时负载需求

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X0405-ASEMI电源AI器件专用X0405

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编辑：ll X0405-ASEMI电源AI器件专用X0405 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新引脚数量：3 特性：单向可控硅工作温度：-40℃~150℃ X0405单向可控硅：灵敏触发与高可靠性功率控制核心在工业控制、家电及新能源设备中，可控硅的灵敏性与耐压能力直接影响系统响应速度和稳定性。X0405系列单向可控硅凭借其独特的门极灵敏触发设计和高阻断电压特性，成为中高压场景下的优选器件。一、核心参数与性能优势高耐压与大电流能力断态重复峰值

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12N60-ASEMI无人机专用功率器件12N60

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编辑：LL 12N60-ASEMI无人机专用功率器件12N60 型号：12N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：12A 漏源击穿电压：600V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.68Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 高耐压与电流承载能力漏源电压（VDS）达600V，漏极电流（ID）连续12A，脉冲电流可达48A，满足高压场景下的稳定运行需求。部分型号（如AOT12N60FD-VB）击穿电压提升至650V，扩展了极端工况下的安全裕量。低导

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10N60-ASEMI电源AI器件专用10N60

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编辑：ll 10N60-ASEMI电源AI器件专用10N60 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 10N60系列MOS管：高耐压功率器件驱动多元场景效能升级作为中高压领域的高性能MOSFET，10N60系列凭借其卓越的电气特性和广泛适用性，成为工业、新能源及消费电子领域的核心功率开关解决方案。以下从核心性能、应

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9N60-ASEMI无人机专用功率器件9N60

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编辑：LL 9N60-ASEMI无人机专用功率器件9N60 型号：9N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：9A 漏源击穿电压：600V 批号：最新 RDS（ON）Max：1.00Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 9N60系列MOS管：高性能功率器件助力工业与消费电子升级在电力电子领域，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为核心功率开关器件，其性能直接影响系统效率与可靠性。9N60系列MOS管凭借优异参数和广泛适

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8N60-ASEMI电源AI器件专用8N60

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编辑：ll 8N60-ASEMI电源AI器件专用8N60 型号：8N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新最大漏源电流：8A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：1.20Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 8N60系列MOS管是专为高压、中高功率场景设计的N沟道场效应晶体管，涵盖TO-220、TO-220F、TO-251等多种封装形式，具备优异的耐压性能与电气稳定性，适用于工业电源、新能源系统及消费电子领域。其核心参数包括：漏源电

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7N60-ASEMI无人机专用功率器件7N60

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编辑：LL 7N60-ASEMI无人机专用功率器件7N60 型号：7N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：600V 批号：最新 RDS（ON）Max：1.20Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 7N60系列MOS管是专为高压、中功率场景设计的N沟道场效应晶体管，采用TO-220封装，具备优异的散热性能和电气稳定性，适用于工业、能源、汽车电子等高要求领域17。其核心参数包括：漏源电压（VDS）：600V，支持

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6N60-ASEMI机器人功率器件专用6N60

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编辑：ll 6N60-ASEMI机器人功率器件专用6N60 型号：6N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新最大漏源电流：6A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：1.20Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 6N60系列MOS管作为N沟道高压功率器件，以600V/650V耐压与6A连续漏极电流为核心特性，适配工业电源、新能源设备等高压场景需求。其采用TO-220/TO-220F封装，兼顾散热效率与安装便捷性，并具备以下技术亮点

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5N60-ASEMI电源AI器件专用5N60

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编辑：LL 5N60-ASEMI电源AI器件专用5N60 型号：5N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：5A 漏源击穿电压：600V 批号：最新 RDS（ON）Max：2.20Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 5N60系列MOS管作为N沟道增强型高压功率器件，凭借600V耐压与5A连续漏极电流的核心参数，成为工业电源、消费电子等领域的优选元件。其采用TO-220/TO-220F封装，兼容性强且散热性能优异，同时具备以下特性：低导通电阻

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4N60-ASEMI开关电源与适配器专用4N60

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编辑：ll 4N60-ASEMI开关电源与适配器专用4N60 型号：4N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：2.50Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 高耐压与稳定性能 4N60系列MOS管采用N沟道增强型设计，漏源击穿电压达600V，栅源电压范围±30V，可稳定应对高压环境下的复杂工况。其雪崩能量达180mJ，支持宽温工作（-55℃至150℃），在过载或极端温

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3N60-ASEMI电源与逆变器专用3N60

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编辑：LL 3N60-ASEMI电源与逆变器专用3N60 型号：3N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：3A 漏源击穿电压：600V 批号：最新 RDS（ON）Max：3.60Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 高耐压与强可靠性 3N60系列MOS管采用先进平面技术，漏极-源极电压（VDS）高达650V，栅极-源极电压（VGS）范围±30V，可应对高压环境下的严苛需求。其优异的击穿电压和雪崩特性，保障了设备在过载或瞬时高压下的稳

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2N60-ASEMI功业控制与自动化专用2N60

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编辑：ll 2N60-ASEMI功业控制与自动化专用2N60 型号：2N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新最大漏源电流：2A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：5.00Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 2N60系列MOS管是专为高压、高可靠性场景设计的N沟道功率器件，覆盖多种子型号，适配不同封装和性能需求。其核心特性包括600-650V高耐压、2A及以上电流承载能力以及优化的导通电阻，广泛适用于电源

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1N60-ASEMI电源管理模块专用1N60

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编辑：LL 1N60-ASEMI电源管理模块专用1N60 型号：1N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：1A 漏源击穿电压：600V 批号：最新 RDS（ON）Max：11.50Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 1N60系列MOS管是一类专为高压、高速开关场景设计的N沟道增强型功率器件，涵盖多个子型号，可满足不同封装和性能需求。其核心特性包括600-650V高耐压、1-2A电流承载能力以及低导通电阻，适用于电源转换、电机驱

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40N50-ASEMI开关电源专用40N50

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编辑：ll 40N50-ASEMI开关电源专用40N50 型号：40N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 批号：最新最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.11Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 在高压大电流的电力电子系统中，40N50系列MOS管凭借其优异的耐压能力、低导通损耗和快速开关特性，成为工业电源、新能源设备及汽车电子领域的关键元件。其技术参数与设计优化充分匹配现代高功率场景

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30N50-ASEMI工业电源与逆变器专用30N50

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编辑：LL 30N50-ASEMI工业电源与逆变器专用30N50 型号：30N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：30A 漏源击穿电压：500V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.125Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 在高压、高功率的电力电子领域，30N50系列MOS管凭借其卓越的性能和可靠性，成为工程师和行业用户的首选之一。作为N沟道增强型功率场效应晶体管，30N50系列器件在结构设计、参数指标及适用场景方面均表

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28N50-ASEMI工业电源专用28N50

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编辑：ll 28N50-ASEMI工业电源专用28N50 型号：28N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 批号：最新最大漏源电流：28A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.18Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 在电动车充电、工业变频器等高功率、高电流场景中，器件需同时应对高温、高负载和复杂工况的挑战。28N50 MOS管凭借其500V耐压、28A大电流与低损耗设计，成为工程师提升系统效率与可靠性的核心利器。无

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26N50-ASEMI工业电源系统专用26N50

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编辑：LL 26N50-ASEMI工业电源系统专用26N50 型号：26N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：26A 漏源击穿电压：500V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 在工业电源、新能源设备等高功率应用领域，效率和可靠性是核心诉求。26N50 MOS管凭借其600V耐压、超低导通损耗和工业级稳定性，成为工程师应对复杂电力挑战的“黄金选择”。无论是驱动高压电源，还是优化新

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25N50-ASEMI工业电源专用25N50

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编辑：ll 25N50-ASEMI工业电源专用25N50 型号：25N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 批号：最新最大漏源电流：25A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 耐压与电流性能：漏源电压500V，连续漏极电流25A，脉冲电流能力达数倍额定值，适配高功率负载场景。导通特性：典型导通电阻仅0.2Ω（VGS=10V），有效降低导通损耗，提升系统效率。驱动兼容性：栅源电压

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24N50-ASEMI开关电源专用24N50

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编辑：LL 24N50-ASEMI开关电源专用24N50 型号：24N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：24A 漏源击穿电压：500V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 耐压与电流：漏源电压500V，连续漏极电流24A，脉冲电流可达96A。导通电阻：典型值0.16Ω至0.24Ω（ASEMI品牌），具体取决于栅极驱动电压（VGS=10V）。开关性能：低栅电荷（65nC）和快速恢复时间（35ns），支持高频开关应

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20N50-ASEMI电机驱动专用20N50

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编辑：ll 20N50-ASEMI电机驱动专用20N50 型号：20N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 批号：最新最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.27Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 20N50系列是专为高压、高功率应用设计的N沟道MOSFET产品线，凭借超低导通损耗、宽耐压范围、快速响应特性，成为工业电源、新能源系统和智能设备的核心功率开关器件。高压大电流性能漏源电压（VDS）

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18N50-ASEMI工业自动化专用18N50

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编辑：LL 18N50-ASEMI工业自动化专用18N50 型号：18N50 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：18A 漏源击穿电压：500V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.32Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 18N50系列是专为高压、高可靠性场景设计的N沟道场效应管，凭借其低损耗、高耐压、强驱动能力，成为工业电源、新能源设备和智能控制领域的核心元件。核心优势高压大电流特性漏源电压（VDS）覆盖500V至650V，

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16N50-ASEMI电机驱动专用16N50

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编辑：ll 16N50-ASEMI电机驱动专用16N50 型号：16N50 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新最大漏源电流：16A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.38Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 16N50 MOSFET凭借其500V耐压（VDSS）和16A连续电流（ID）能力，成为高压、大功率场景的标杆选择。其核心参数优势包括：超低导通电阻（RDS(on)=0.32Ω@10V）：减少导通损耗，提升系统能效（典型效率>92%）；

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15N50-ASEMI开关电源专用15N50

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编辑：LL 15N50-ASEMI开关电源专用15N50 型号：15N50 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：15A 漏源击穿电压：500V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.35Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 在工业电源、新能源设备等高要求场景中，15N50 MOSFET凭借其500V高压耐受能力与15A大电流承载性能，成为工程师应对复杂工况的“黄金选择”。作为一款N沟道增强型高压功率器件，它完美平衡了效率、可靠性与成本，

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13N50-ASEMI工业电机控制专用13N50

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编辑：ll 13N50-ASEMI工业电机控制专用13N50 型号：13N50 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新最大漏源电流：13A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.48Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 13N50系列N沟道增强型高压功率MOSFET专为高电压、高速开关场景设计，覆盖TO-220、TO-247等封装形式，适用于电子镇流器、逆变器、工业电机驱动及智能电源系统。其核心参数包括500V漏源电压（VDS）、13A

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12N50-ASEMI电源逆变器专用12N50

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编辑：LL 12N50-ASEMI电源逆变器专用12N50 型号：12N50 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：12A 漏源击穿电压：500V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.54Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 12N50系列MOSFET是专为高压、高可靠性场景设计的N沟道功率器件，涵盖TO220、TO247等封装形式，适用于电源逆变器、工业控制、电动汽车及智能照明等领域。其核心参数包括650V漏极-源极电压（VDS）、10V栅极驱动下的低

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11N50-ASEMI电机驱动控制专用11N50

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编辑：ll 11N50-ASEMI电机驱动控制专用11N50 型号：11N50 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新最大漏源电流：11A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.55Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 11N50作为N沟道MOSFET，凭借550V漏源击穿电压（Vds）和18A连续漏极电流（Id），在高压大功率场景中展现卓越性能。其260mΩ@10V的低导通电阻（Rds(on)）结合3V阈值电压（Vth），可实现快速切换与低功耗控制

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10N50-ASEMI电源管理专用10N50

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编辑：LL 10N50-ASEMI电源管理专用10N50 型号：10N50 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：500V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.68Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 10N50是一款N沟道功率MOS管，其型号中“10”代表漏极电流为10A，“50”表示漏源击穿电压高达500V，适用于中高压场景。该器件采用TO-220、TO-252等封装形式，兼具散热性能与紧凑设计，可满足工业、汽车电子等高要求领

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9N50-ASEMI伺服驱动器专用9N50

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编辑：ll 9N50-ASEMI伺服驱动器专用9N50 型号：9N50 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新最大漏源电流：9A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 在电力电子领域，高压、高效率和可靠性是技术升级的核心诉求。9N50系列MOS管作为新一代功率器件，以更低的损耗、更强的承载能力和智能化兼容设计，重新定义高压电源解决方案的行业标准，为新能源

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8N50-ASEMI工业自动化专用8N50

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编辑：LL 8N50-ASEMI工业自动化专用8N50 型号：8N50 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：8A 漏源击穿电压：500V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 在高压电源管理与功率转换领域，8N50系列MOS管凭借其卓越性能，成为工程师的首选器件。该系列产品采用TO220F封装，以单N沟道设计为基础，结合Plannar技术，为工业、新能源及消费电子领域提供高效、稳定的功率控制

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7N50-ASEMI光伏逆变器电路专用7N50

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编辑：ll 7N50-ASEMI光伏逆变器电路专用7N50 型号：7N50 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 在电力电子技术飞速发展的今天，设备对功率器件的需求已不再局限于“够用”，而是追求“更强、更快、更可靠”。7N50 MOSFET应势而生，以700V高压承载、超低损耗与智能温控设计，成为工业升级与新

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6N50-ASEMI工业电源模块专用6N50

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编辑：LL 6N50-ASEMI工业电源模块专用6N50 型号：6N50 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：6A 漏源击穿电压：500V 批号：最新 RDS（ON）Max：1.15Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管封装尺寸：如图特性：MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~150℃ 6N50是一款N沟道增强型MOSFET，其核心参数包括：耐压值600V：轻松应对工业电源、电机驱动等高电压需求场景。连续漏极电流50A：支持大功率负载，满足严苛的电流承载要求。超低导通电阻<0.25Ω：显著降低导通损

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X0202A/B-ASEMI工业控制专用可控硅

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编辑：LL X0202A/B-ASEMI工业控制专用可控硅型号：X0202A/B 品牌：ASEMI 封装：TO-252 频率特性：中频功率特性：中功率额定正向平均电流：800mA 最大稳定工作电流：1.25A 反向重复峰值电压：600V 控制极触发电流：200μA X0202A/X0202B系列可控硅（SCR）是一款专为灵敏触发场景设计的单向可控硅器件，采用NPNP四层结构，结合单面台面工艺和玻璃钝化技术，具备高可靠性和低功耗特性。其核心设计适用于低门极电流环境，如接地故障断路器、过压保护电路等，可显

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X0202-ASEMI家用电器专用X0202

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编辑：LL X0202-ASEMI家用电器专用X0202 型号：X0202 品牌：ASEMI 封装：TO-252 频率特性：中频功率特性：中功率额定正向平均电流：800mA 最大稳定工作电流：1.25A 反向重复峰值电压：600V 控制极触发电流：200μA 一、极致灵敏，微电流驱动的革命 0.1mA超低触发电流——灵敏度较同类产品提升60%，轻松适配蓝牙模块、IoT传感器等微功耗场景，电池续航提升30%13。 0.5V超低压触发——直连1.8V/3.3V单片机，无需外置驱动电路，设计成本降低50%24。二、高压守护者，稳

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CR03AM-16-ASEMI照明电子专用CR03AM-16

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编辑：LL CR03AM-16-ASEMI照明电子专用CR03AM-16 型号：CR03AM-16 品牌：ASEMI 封装：TO-92 断态电压：600V 通态电流最大值（It (RMS)）：6A 栅极触发电压（Vgt）：1.3V 栅极触发电流（Igt）：50mA 不重复浪涌电流（Itsm）：60A 保持电流最大值（Ih）：100mA 工作温度范围：-40℃~150℃ 安装类型：焊接安装一、精准触发，微功耗之王 0.2mA触发电流——比传统可控硅灵敏度提升50%以上，仅需微小信号即可驱动，轻松适配物联网传感器、电池供电设备等低功耗场景36。 0.8V超低压

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CR03AM-12-ASEMI智能家居专用CR03AM-12

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编辑：LL CR03AM-12-ASEMI智能家居专用CR03AM-12 型号：CR03AM-12 品牌：ASEMI 封装：TO-220 CR03AM-12作为新一代可控硅（晶闸管）器件，以高性能、高稳定性及广泛适用性，成为工业自动化、新能源设备和智能家电领域的理想选择。以下从核心技术、应用场景及市场竞争力三方面解析其核心价值。高耐压与大电流承载电压电流规格：支持最高1200V断态重复峰值电压和3A通态平均电流，适配中高功率场景需求。低损耗设计：通态压降（VTM）低至1.6V，减少能量损耗，

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US112N-ASEMI家用电器专用US112N

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编辑：LL US112N-ASEMI家用电器专用US112N 型号：US112N 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 栅极触发电压（Vgt）：1.3V。栅极触发电流（Igt）：15mA。保持电流最大值（Ih）：50mA。正向重复电压（Vdrm）：800V。通态电流最大值（It (RMS)）：12A。不重复浪涌电流（Itsm）：120A。工作温度范围：-40℃~150℃。 US112N系列可控硅凭借其卓越性能和广泛适用性，成为电子元器件领域的优选解决方案。以下从技术特性、应用场景及市场价值三个维度解析其核心优势：灵敏触发：触发

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