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刚才我提到了存储单元和存储元是两个不一样的概念，那么它们有什么联系呢？通常来说，现在我们使用的DDR3内存条，一个存储单元的容量是1Byte，也就是8个存储元并联起来组成的。这是内存的最小单位，也是CPU地址寻址的最小单位。讲到寻址，寻址是什么意思呢？内存里有无数个存储单元，CPU必须在很短的时间内准确找到一个需要的存储单元，向其写入或读出数据，这个准确定位的过程就叫做寻址。那么CPU是如何做到准确定位的呢？换做是你你会怎么做？对了，编号。像门牌号一样把存储单元的地址依次编号，CPU通过地址就可以准确找到需要的存储单元了。就像这样：
这个就是现今DDR SDRAM内存的雏形了。把存储单元按16进制编号，CPU会通过地址总线把需要访问的存储单元的16进制地址发到地址译码器（Address Decoder）上，地址译码器解码以后，给相应的存储单元发一个低电平信号，这样存储单元就可以自动“打开”了（还记得上面说的打开过程么？），数据会传输到I/O缓冲器上。再过一会，就会经过数据总线传送到CPU那里了。
不过这样的排布你会很快发现一个问题：它太长了！如果一直这样排下去，现在的内存条都会变得像一根筷子一样长。当然，你说为什么不能折起来放？当然这样可以解决长度问题，但还有两个更严重的问题：1.折叠会导致严重的布线冲突；2.当地址编码很长时，解码和寻址的耗时将是不可忍受的。
这时再换位思考一下，如果是你，你会做出什么样的改进呢？
你想的或许就和现在内存存储单元真正的排列方法一致。没错那就是矩阵。把存储单元排成一个方阵，按行和列加以区分和定位，就像下面这个图：
行地址总线发送行地址信息到解码器上，列地址总线发送列地址信息到解码器上。解码会得到对应的行地址和列地址，就可以选中对应的存储单元，然后将数据输送到S-AMP内（也就是I/O控制器）。过一段时间以后S-AMP会将数据通过数据总线发送到CPU。这个模型已经比较接近现实中的DDR3内存颗粒结构了。
这个就是现今DDR SDRAM内存的雏形了。把存储单元按16进制编号，CPU会通过地址总线把需要访问的存储单元的16进制地址发到地址译码器（Address Decoder）上，地址译码器解码以后，给相应的存储单元发一个低电平信号，这样存储单元就可以自动“打开”了（还记得上面说的打开过程么？），数据会传输到I/O缓冲器上。再过一会，就会经过数据总线传送到CPU那里了。
不过这样的排布你会很快发现一个问题：它太长了！如果一直这样排下去，现在的内存条都会变得像一根筷子一样长。当然，你说为什么不能折起来放？当然这样可以解决长度问题，但还有两个更严重的问题：1.折叠会导致严重的布线冲突；2.当地址编码很长时，解码和寻址的耗时将是不可忍受的。
这时再换位思考一下，如果是你，你会做出什么样的改进呢？
你想的或许就和现在内存存储单元真正的排列方法一致。没错那就是矩阵。把存储单元排成一个方阵，按行和列加以区分和定位，就像下面这个图：
行地址总线发送行地址信息到解码器上，列地址总线发送列地址信息到解码器上。解码会得到对应的行地址和列地址，就可以选中对应的存储单元，然后将数据输送到S-AMP内（也就是I/O控制器）。过一段时间以后S-AMP会将数据通过数据总线发送到CPU。这个模型已经比较接近现实中的DDR3内存颗粒结构了。
这样一张非常标准的矩阵表，叫做Lgoic Bank（逻辑BANK，简称为L-BANK）。这是内存颗粒的一个十分重要的概念。一片你看到的颗粒就是由2^n个这样的矩阵组成的。
三星的招牌颗粒K4B2G0846D，由8个Logic Bank组成。你可能没有听说过这个颗粒的名字，但我说三星黑武士你一定不陌生。没错，这就是4GB 30nm三星黑条所用的颗粒，超频潜力极佳。
讲到这里，我上面提到过的为什么内存不按1000/1024换算容量的问题，你应该有些端倪了吧？n1根行地址线可以确定2^n1个行，n2根列地址线同样可以确定2^n2个列。这样就可以确定一张包含2^n1*2^n2=2^(n1+n2)个存储单元的矩阵，也就是一个Logic Bank。2^n3个Logic Bank组成了一片内存颗粒，而2^n4个颗粒则可以组成一根完整的内存的容量。因此最终的总容量一定是2^n倍。这都是为了能在最短的时间内准确寻址到所需的存储单元并传输数据。所以，4GB的容量是完完全全的4GB=4096MB=2^32Bytes，没有任何缩水的。
讲了这么多理论知识，是时候看些实物，了解一些实用的小窍门了：
我们还是以三星30nm黑条为例：
三星M379B5273DH0-YK0内存条，俗称4G黑条。可别小觑了这一个标签，这个小小的标签上包含了大量的信息，很多时候能直接通过它分辨出内存条的真伪。
第一行：4GB，这当然是指容量。2Rx8：代表它有两个Rank（P-Bank），每个Rank由8个颗粒组成，也就是一共16颗颗粒。这里注意！Rank数和面数没有直接关系，2Rank并不代表内存条一定是双面的，1Rank更不代表一定是单面的。PC3L-12800U：PC3-12800代表等效频率，也就是DDR3-1600MHz，把12800/8即可得到等效频率。后面的L和U分别代表窄条和节能版。11-11-H0代表时序参数，即CL11，tRCD11，tRP11（tRAS通常会是27、28或30）。
关于第二行，我借用三星的官方文档说明一下编号的解释：
三星的招牌颗粒K4B2G0846D，由8个Logic Bank组成。你可能没有听说过这个颗粒的名字，但我说三星黑武士你一定不陌生。没错，这就是4GB 30nm三星黑条所用的颗粒，超频潜力极佳。
讲到这里，我上面提到过的为什么内存不按1000/1024换算容量的问题，你应该有些端倪了吧？n1根行地址线可以确定2^n1个行，n2根列地址线同样可以确定2^n2个列。这样就可以确定一张包含2^n1*2^n2=2^(n1+n2)个存储单元的矩阵，也就是一个Logic Bank。2^n3个Logic Bank组成了一片内存颗粒，而2^n4个颗粒则可以组成一根完整的内存的容量。因此最终的总容量一定是2^n倍。这都是为了能在最短的时间内准确寻址到所需的存储单元并传输数据。所以，4GB的容量是完完全全的4GB=4096MB=2^32Bytes，没有任何缩水的。
讲了这么多理论知识，是时候看些实物，了解一些实用的小窍门了：
我们还是以三星30nm黑条为例：
三星M379B5273DH0-YK0内存条，俗称4G黑条。可别小觑了这一个标签，这个小小的标签上包含了大量的信息，很多时候能直接通过它分辨出内存条的真伪。
第一行：4GB，这当然是指容量。2Rx8：代表它有两个Rank（P-Bank），每个Rank由8个颗粒组成，也就是一共16颗颗粒。这里注意！Rank数和面数没有直接关系，2Rank并不代表内存条一定是双面的，1Rank更不代表一定是单面的。PC3L-12800U：PC3-12800代表等效频率，也就是DDR3-1600MHz，把12800/8即可得到等效频率。后面的L和U分别代表窄条和节能版。11-11-H0代表时序参数，即CL11，tRCD11，tRP11（tRAS通常会是27、28或30）。
关于第二行，我借用三星的官方文档说明一下编号的解释：
只发图不解释大家还是看不懂。下面以M379B5273DH0-YKO为例：
第一位M：代表Memory，RAM，固定不变；
第二位：3——DIMM，即台式机内存；4——SODIMM，即笔记本内存；
第三、四位：71——64bit P-Bank 204pin 笔记本普通内存；78——64bit P-Bank 240pin 台式机普通内存；79（图中未列）——64bit P-Bank LP 240pin 台式机窄内存（即窄条）；91——72bit P-Bank 240pin 台式机ECC内存；92——72bit P-Bank 240pin VLP 台式机ECC REG超窄内存；93——72bit P-Bank 240pin 台式机ECC REG内存；
第5位：B——DDR3；S（图中未列）——SDRAM；H（图中未列）——DDR；T（图中未列）——DDR2；G（图中未列）——SGRAM（显存颗粒的先祖）；
第6-7位：颗粒深度（Chip Depth），重要参数，它决定了这根内存条采用何种颗粒。例如三星4G黑条此处是52，对应图中2Gb（256MB）颗粒；
第8位：每颗粒中有多少个Logic Bank，7——8个，并采用SSTL 1.5V标准；
第9位：芯片位宽，它等于Logic Bank的位宽，在DDR中也等于1/2存储单元的位宽。0——4bit；3——8bit；4——16bit；
第10位：修订版本，从A到G分别对应A版、B版、……G版。
第11位：封装方式，代表采用何种方式封装（是否FBGA，有无含铅含汞等）。特别注意这里的M，M版代表采用DDP，也就是Dual Die Package封装，它将两个die封装在一片颗粒内，相当于CPU的双核。M版颗粒的实际容量要在6-7位标注的基础上x2；
第12位：PCB版本，0——原版；1——修订版1；2——修订版2；3——修订版3；4——修订版4；
第13位：一条杠；
第14位：工作温度和能耗，C——0°C~85°C，常规内存条；Y——0°C~85°C，节能内存条；
第15-16位：芯片实际频率和时序，F7——DDR3 800@CL6-tRCD6-tRP6；F8——DDR3 1066@CL7- tRCD7-tRP7；H9——DDR3 1333@CL9-tRCD9-tRP9；K0——DDR3 1600@CL11 tRCD11 tRP11；MA——DDR3 1866@CL13-tRCD13-tRP13
第17-18位：保留作特殊客户标识。
可见这一个平常人觉得没有什么意义的编号，实际上包含了这根内存条的大量信息，包括采用何种颗粒、容量多大、频率和时序是多少、电压是多少。
最后注意到第二行末尾的数字1139，这个代表周期，也就是这根内存条产于2011年的第39周。
我们再来看看4G黑武士所用的颗粒，K4B2G0846D。
这里没有找到官方的说明文档，我就用这张图里的来说明吧：
第一行，SEC，代表三星。137代表周期，11年37周。HYK0和上面所说的内存条编号的第11、14、15、16位意义是一致的。
第二行，第1位K固定不变，代表三星；
第2位，4代表DRAM；
第3位，B代表DDR3，T代表DDR2，H代表DDR1，这和内存条上编号上的第5位意义也是一致的。三星也做显存颗粒，所以这里可能还有别的字母，如J代表GDDR3，U代表GDDR4，G代表GDDR5；
第4、5位，2G代表此颗粒深度为2Gbit（在位宽为8bit时，等于256MB）
第6、7位，08代表颗粒位宽为8bit。04代表4bit，16代表16bit，32代表32bit；
第8位，代表颗粒内Logic Bank数，3表示4bank，4表示8bank；
第9位，代表接口类型和工作电压，6代表SSTL_1.5V；
第10位，D，代表版本号，也可以理解为制程，如B代表50nm，C代表40nm，D代表30nm。
最下方第三行具体的意义我也不太清楚，应该是序列号。
第一位M：代表Memory，RAM，固定不变；
第二位：3——DIMM，即台式机内存；4——SODIMM，即笔记本内存；
第三、四位：71——64bit P-Bank 204pin 笔记本普通内存；78——64bit P-Bank 240pin 台式机普通内存；79（图中未列）——64bit P-Bank LP 240pin 台式机窄内存（即窄条）；91——72bit P-Bank 240pin 台式机ECC内存；92——72bit P-Bank 240pin VLP 台式机ECC REG超窄内存；93——72bit P-Bank 240pin 台式机ECC REG内存；
第5位：B——DDR3；S（图中未列）——SDRAM；H（图中未列）——DDR；T（图中未列）——DDR2；G（图中未列）——SGRAM（显存颗粒的先祖）；
第6-7位：颗粒深度（Chip Depth），重要参数，它决定了这根内存条采用何种颗粒。例如三星4G黑条此处是52，对应图中2Gb（256MB）颗粒；
第8位：每颗粒中有多少个Logic Bank，7——8个，并采用SSTL 1.5V标准；
第9位：芯片位宽，它等于Logic Bank的位宽，在DDR中也等于1/2存储单元的位宽。0——4bit；3——8bit；4——16bit；
第10位：修订版本，从A到G分别对应A版、B版、……G版。
第11位：封装方式，代表采用何种方式封装（是否FBGA，有无含铅含汞等）。特别注意这里的M，M版代表采用DDP，也就是Dual Die Package封装，它将两个die封装在一片颗粒内，相当于CPU的双核。M版颗粒的实际容量要在6-7位标注的基础上x2；
第12位：PCB版本，0——原版；1——修订版1；2——修订版2；3——修订版3；4——修订版4；
第13位：一条杠；
第14位：工作温度和能耗，C——0°C~85°C，常规内存条；Y——0°C~85°C，节能内存条；
第15-16位：芯片实际频率和时序，F7——DDR3 800@CL6-tRCD6-tRP6；F8——DDR3 1066@CL7- tRCD7-tRP7；H9——DDR3 1333@CL9-tRCD9-tRP9；K0——DDR3 1600@CL11 tRCD11 tRP11；MA——DDR3 1866@CL13-tRCD13-tRP13
第17-18位：保留作特殊客户标识。
可见这一个平常人觉得没有什么意义的编号，实际上包含了这根内存条的大量信息，包括采用何种颗粒、容量多大、频率和时序是多少、电压是多少。
最后注意到第二行末尾的数字1139，这个代表周期，也就是这根内存条产于2011年的第39周。
我们再来看看4G黑武士所用的颗粒，K4B2G0846D。
这里没有找到官方的说明文档，我就用这张图里的来说明吧：
第一行，SEC，代表三星。137代表周期，11年37周。HYK0和上面所说的内存条编号的第11、14、15、16位意义是一致的。
第二行，第1位K固定不变，代表三星；
第2位，4代表DRAM；
第3位，B代表DDR3，T代表DDR2，H代表DDR1，这和内存条上编号上的第5位意义也是一致的。三星也做显存颗粒，所以这里可能还有别的字母，如J代表GDDR3，U代表GDDR4，G代表GDDR5；
第4、5位，2G代表此颗粒深度为2Gbit（在位宽为8bit时，等于256MB）
第6、7位，08代表颗粒位宽为8bit。04代表4bit，16代表16bit，32代表32bit；
第8位，代表颗粒内Logic Bank数，3表示4bank，4表示8bank；
第9位，代表接口类型和工作电压，6代表SSTL_1.5V；
第10位，D，代表版本号，也可以理解为制程，如B代表50nm，C代表40nm，D代表30nm。
最下方第三行具体的意义我也不太清楚，应该是序列号。
弄清楚了内存条编号和颗粒编号的具体含义，就可以轻松地分辨出某些假内存了，从此不用再做小白不停地上当了。
例1：某8颗粒内存条贴标签2GB 2Rx8。假！什么问题？2Rx8代表2个Rank共2x8=16个颗粒，而内存条上却只有8个。
例2：某内存条标签：4GB 2Rx8 PC3-12800 11-11-H0，M378B5273CH0-CH9
假！什么问题？第一行标明的频率为1600MHz，而第二行CH9却表明频率应该为1333MHz。
例3：某内存条标签：M379B5273DH0-CH9 1142，颗粒为SEC 138 HCH9 K4B1G0846D
假！什么问题？内存条标签52表明采用2Gb颗粒，而颗粒上1G却表明这颗颗粒是1G的。
例4：某内存条标签：M379B5273DH0-YK0 1138，颗粒为SEC 151 HYK0 K4B2G0846D
假！这次又是什么问题？内存条标签和颗粒型号对得上没错啊？这回注意看周期，内存条是2011年38周产的，颗粒却是2011年51周产的。你见过有把内存条都卖出去了过两个月再往上面装颗粒的吗？这种内存条只有一个可能，那就是翻新条，也就是把瑕疵的ett甚至utt颗粒装到报废的PCB板上，然后贴标签出售。这种内存条特别多，尤其是金士顿。用这种方法可以区分出一大堆假条。不过如果颗粒周期小于内存，这招就不管用了。
例5，看图：
这是前两天某位新人在贴吧里发的求助帖。三秒钟之内就可以断定这条内存一定是翻新的。为什么？还是注意看颗粒周期。这是奇梦达的DDR2颗粒，在“Q”Logo的右边有一个四位数字代表周期。这条内存上颗粒的周期五花八门，0732、0836、0718全出来了。很简单，这是把一堆报废颗粒重新焊上去的，而造假者很明显没有水平，选了一堆周期差一年的颗粒，让人一看就知道是假的。这条方法是对例4方法的一个补充，同样快捷有效。通常一条内存上的颗粒周期是一样的，一般差距也不会超过2个周期。
除了对比型号这样一种方法以外，还有几种方法也是很有效的。
第一种当然是拨打防伪电话查询序列号了，废话
第二种，注意标签自带的防伪信息。例如，金士顿Kingston字样后的“K”Logo被一圈小字“Kingston”圈了起来，小字应该清晰可见，而不是模糊不清、甚至是用线条代替的。同样，金士顿的人头在不同的光照下看会有两种不同的颜色，从中间分开。
第三种，注意颗粒成色，上面应该没有划痕，印刷文字清晰可见。假颗粒有些有划痕，并且往往文字泛黄，用力擦甚至可以擦掉。
谈到这里顺便再讲一下颗粒的鉴别。
颗粒是由晶元切割而成的。电气性能较好的晶元，会被做成原厂颗粒，也即major颗粒，颗粒会标注生产商Logo，如SEC（Samsung）。电气性能稍差的，会被做成白片，也即没有原厂Logo，只有下方一行小字代表序列号。其中又分为ett颗粒和utt颗粒。ett亦即effectively tested，是通过测试的颗粒。而utt代表untested，亦即未经测试的颗粒。购买内存时应该尽量避开utt颗粒。当然utt颗粒正品通常不会用，但是会大量流向假货制造者。
但是这并不代表ett/utt颗粒超频性能一定差于major颗粒，因为ett/utt不会做速度分级测试，这就代表当中存在黑马，也就是为什么有的金士顿普条可以超到2133的原因了。
如何区分major/ett/utt颗粒？
1.带有颗粒生产商Logo的，一定是major颗粒（假货除外）。如三星4G黑条所用的颗粒。
2.通常OEM厂商不会使用ett颗粒，也就是说品牌机和笔记本的内存所用颗粒一般是原厂的。
3.不带原厂Logo的，不一定不是major颗粒。有些OEM巨头比如金士顿（金士顿自己是不生产颗粒的），会要求合作厂商如Elpida在原厂颗粒上打上自己的Logo。当然这是少数。
4.只有下方一个圆点和一行小标的，一定不是major颗粒。通常ett占大多数，极少数是utt。
而像这样的则是厂商将ett颗粒打上自己的Logo。这条是金邦的内存：
5.DIY市场上中低端内存条大部分使用ett颗粒。
（打磨的假镁光颗粒）
例1：某8颗粒内存条贴标签2GB 2Rx8。假！什么问题？2Rx8代表2个Rank共2x8=16个颗粒，而内存条上却只有8个。
例2：某内存条标签：4GB 2Rx8 PC3-12800 11-11-H0，M378B5273CH0-CH9
假！什么问题？第一行标明的频率为1600MHz，而第二行CH9却表明频率应该为1333MHz。
例3：某内存条标签：M379B5273DH0-CH9 1142，颗粒为SEC 138 HCH9 K4B1G0846D
假！什么问题？内存条标签52表明采用2Gb颗粒，而颗粒上1G却表明这颗颗粒是1G的。
例4：某内存条标签：M379B5273DH0-YK0 1138，颗粒为SEC 151 HYK0 K4B2G0846D
假！这次又是什么问题？内存条标签和颗粒型号对得上没错啊？这回注意看周期，内存条是2011年38周产的，颗粒却是2011年51周产的。你见过有把内存条都卖出去了过两个月再往上面装颗粒的吗？这种内存条只有一个可能，那就是翻新条，也就是把瑕疵的ett甚至utt颗粒装到报废的PCB板上，然后贴标签出售。这种内存条特别多，尤其是金士顿。用这种方法可以区分出一大堆假条。不过如果颗粒周期小于内存，这招就不管用了。
例5，看图：
这是前两天某位新人在贴吧里发的求助帖。三秒钟之内就可以断定这条内存一定是翻新的。为什么？还是注意看颗粒周期。这是奇梦达的DDR2颗粒，在“Q”Logo的右边有一个四位数字代表周期。这条内存上颗粒的周期五花八门，0732、0836、0718全出来了。很简单，这是把一堆报废颗粒重新焊上去的，而造假者很明显没有水平，选了一堆周期差一年的颗粒，让人一看就知道是假的。这条方法是对例4方法的一个补充，同样快捷有效。通常一条内存上的颗粒周期是一样的，一般差距也不会超过2个周期。
除了对比型号这样一种方法以外，还有几种方法也是很有效的。
第一种当然是拨打防伪电话查询序列号了，废话
第二种，注意标签自带的防伪信息。例如，金士顿Kingston字样后的“K”Logo被一圈小字“Kingston”圈了起来，小字应该清晰可见，而不是模糊不清、甚至是用线条代替的。同样，金士顿的人头在不同的光照下看会有两种不同的颜色，从中间分开。
第三种，注意颗粒成色，上面应该没有划痕，印刷文字清晰可见。假颗粒有些有划痕，并且往往文字泛黄，用力擦甚至可以擦掉。
谈到这里顺便再讲一下颗粒的鉴别。
颗粒是由晶元切割而成的。电气性能较好的晶元，会被做成原厂颗粒，也即major颗粒，颗粒会标注生产商Logo，如SEC（Samsung）。电气性能稍差的，会被做成白片，也即没有原厂Logo，只有下方一行小字代表序列号。其中又分为ett颗粒和utt颗粒。ett亦即effectively tested，是通过测试的颗粒。而utt代表untested，亦即未经测试的颗粒。购买内存时应该尽量避开utt颗粒。当然utt颗粒正品通常不会用，但是会大量流向假货制造者。
但是这并不代表ett/utt颗粒超频性能一定差于major颗粒，因为ett/utt不会做速度分级测试，这就代表当中存在黑马，也就是为什么有的金士顿普条可以超到2133的原因了。
如何区分major/ett/utt颗粒？
1.带有颗粒生产商Logo的，一定是major颗粒（假货除外）。如三星4G黑条所用的颗粒。
2.通常OEM厂商不会使用ett颗粒，也就是说品牌机和笔记本的内存所用颗粒一般是原厂的。
3.不带原厂Logo的，不一定不是major颗粒。有些OEM巨头比如金士顿（金士顿自己是不生产颗粒的），会要求合作厂商如Elpida在原厂颗粒上打上自己的Logo。当然这是少数。
4.只有下方一个圆点和一行小标的，一定不是major颗粒。通常ett占大多数，极少数是utt。
而像这样的则是厂商将ett颗粒打上自己的Logo。这条是金邦的内存：
5.DIY市场上中低端内存条大部分使用ett颗粒。
（打磨的假镁光颗粒）
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第四种，注意PCB电气性能。透光从侧面观察，大部分正品内存使用6层或8层PCB（Kingston某些缩水的4层除外），而有些假货用的是4层。PCB的层数也会用一个数字标在PCB的边缘部分。观察PCB板，板色纯正，印刷电路应该清晰可见，并且在金手指上方颗粒下方这一块区域可以看见很多贴片电容。假货往往是光秃秃的。
（PCB层数8标注在PCB角上）
第五种，注意PCB两端，某些内存条，比如金士顿，会在这个地方印刷上6/7位的序列号，这个序列号应该能和标签上的对上。否则就是假条。
介绍了上述这么多真伪辨识法，相信你以后不会那么容易被假内存条所欺骗了。
看到这里你是不是觉得自己太天才了，以上内容都能毫无压力地看懂？那好，本来我们不谈太高深的东西的，不过难度还是得循序渐进对吧？比如这个？
当然，以下内容难度没有这么HIGH，不过阅读前还是请自行备好脑白金，你会发现它们有那么一点点晦涩难懂……当然，我尽量、尽量地用白话描述出来，但是还是不能保证你看懂的……
（PCB层数8标注在PCB角上）
第五种，注意PCB两端，某些内存条，比如金士顿，会在这个地方印刷上6/7位的序列号，这个序列号应该能和标签上的对上。否则就是假条。
介绍了上述这么多真伪辨识法，相信你以后不会那么容易被假内存条所欺骗了。
看到这里你是不是觉得自己太天才了，以上内容都能毫无压力地看懂？那好，本来我们不谈太高深的东西的，不过难度还是得循序渐进对吧？比如这个？
当然，以下内容难度没有这么HIGH，不过阅读前还是请自行备好脑白金，你会发现它们有那么一点点晦涩难懂……当然，我尽量、尽量地用白话描述出来，但是还是不能保证你看懂的……
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这种帖子不发到卡生真是浪费啊
