华为已攻克3nm关键GAA全能门技术！或将超越台积电实现翻盘
现在7nm工艺的战争台积电方面明显优势大于三星的，大部分厂家都向台积电下了7nm的订单，NVIDIA下一代GPU安培虽然会同时采用两家的7nm工艺，但是大部分还是会交给台积电生产，而且我们也知道台积电现在加大了对5nm制程工艺的投入，据称苹果5nm A14处理器订单已交给台积电了，今年上半年即可量产。
但台积电的胜利可能不是永远的，日前，台积电创始人张忠谋也表示，三星是很厉害的对手，目前台积电暂时占据优势，但仅仅只是赢了一两场战役，整个战争还没有结束。
根据韩国媒报道，三星现在已经向3nm制程迈出了第一步，他们已经攻克了3nm和1nm工艺所使用全能门（GAA）技术。三星的3nm工艺会使用GAA技术，而不是现在的FinFET，新的技术可以让芯片面积减少35%，功耗下降约50%，与5nm FinFET工艺相比，同样功耗情况下性能提升33%。
在3nm节点，三星用GAA MCFET（多桥通道FET）工艺取代了之前的FinFET工艺。根据最新消息，三星的3nm工艺整体表现要高于预期水平。
其实在一年前三星就开展了在3nm GAA工艺的工作，当时他们的目标是2021年实现量产，真是雄心勃勃，三星目标是要在2030年成为世界第一的半导体制作商。
GAA全能门与FinFET的不同之处在于，GAA设计围绕着通道的四个面周围有栅极，从而确保了减少漏电压并且改善了对通道的控制，这是缩小工艺节点时的基本步骤，使用更高效的晶体管设计，再加上更小的节点尺寸，和5nm FinFET工艺相比能实现更好的能耗比。
近日，三星副董事长李在镕访问了华城工厂的半导体研究中心，表示三星电子将是第一个开发3nm工艺技术的公司。李在镕分享了自己的愿景，即追随内存，成为系统半导体领域的世界第一，并坚定了实现这一目标的意志。
反观竞争对手台积电，该公司也已经在规划3nm制程量产，其位于南科的3nm厂环评已于去年顺利通过，落脚在新竹的3nm研发厂房环评也顺利通过初审，等到环评大会确认结论后，预计可顺利赶上量产时程。
作为GAA技术的领头羊，三星究竟能否借由3nm工艺翻盘，让我们拭目以待。
现在7nm工艺的战争台积电方面明显优势大于三星的，大部分厂家都向台积电下了7nm的订单，NVIDIA下一代GPU安培虽然会同时采用两家的7nm工艺，但是大部分还是会交给台积电生产，而且我们也知道台积电现在加大了对5nm制程工艺的投入，据称苹果5nm A14处理器订单已交给台积电了，今年上半年即可量产。
但台积电的胜利可能不是永远的，日前，台积电创始人张忠谋也表示，三星是很厉害的对手，目前台积电暂时占据优势，但仅仅只是赢了一两场战役，整个战争还没有结束。
根据韩国媒报道，三星现在已经向3nm制程迈出了第一步，他们已经攻克了3nm和1nm工艺所使用全能门（GAA）技术。三星的3nm工艺会使用GAA技术，而不是现在的FinFET，新的技术可以让芯片面积减少35%，功耗下降约50%，与5nm FinFET工艺相比，同样功耗情况下性能提升33%。
在3nm节点，三星用GAA MCFET（多桥通道FET）工艺取代了之前的FinFET工艺。根据最新消息，三星的3nm工艺整体表现要高于预期水平。
其实在一年前三星就开展了在3nm GAA工艺的工作，当时他们的目标是2021年实现量产，真是雄心勃勃，三星目标是要在2030年成为世界第一的半导体制作商。
GAA全能门与FinFET的不同之处在于，GAA设计围绕着通道的四个面周围有栅极，从而确保了减少漏电压并且改善了对通道的控制，这是缩小工艺节点时的基本步骤，使用更高效的晶体管设计，再加上更小的节点尺寸，和5nm FinFET工艺相比能实现更好的能耗比。
近日，三星副董事长李在镕访问了华城工厂的半导体研究中心，表示三星电子将是第一个开发3nm工艺技术的公司。李在镕分享了自己的愿景，即追随内存，成为系统半导体领域的世界第一，并坚定了实现这一目标的意志。
反观竞争对手台积电，该公司也已经在规划3nm制程量产，其位于南科的3nm厂环评已于去年顺利通过，落脚在新竹的3nm研发厂房环评也顺利通过初审，等到环评大会确认结论后，预计可顺利赶上量产时程。
作为GAA技术的领头羊，三星究竟能否借由3nm工艺翻盘，让我们拭目以待。
