intel 760 p 固态硬盘使用感受

前段时间用来intel家的760p 256G，和大家分析交流一下。在官网上可以查到这款固态的宣传性能，可以参考一下，不同容量的固态在写入、读取速度，以及总写入量有区别。我的这款256G版本760p官方的说法是：顺序读取3210MB/s、顺序写入1315MB/s、总写入量144TBW。（不推荐购买128G版本，性能很差，请选择512G起步，我就是没钱才256G）

首先看看这款固态的包装，一如既往的“土土”的纸盒包装，正面表示的SSD 7，是指代其定位为性能级别的PCIe固态。

包装盒的反面，标注：物理规格M.2 2280，带宽PCIe3.0X4，容量256GB，以及各种认证标识。

打开包装盒之后，配件比较简陋，一个固态本体，一个说明书。

打开包装盒之后，配件比较简陋，一个固态本体，一个说明书。

这款256G版本背面的PCB是和128G的PCB是一样的，其他512G、1T、2T是一样的。另外，M2的金手指没有做满，看起来不太美观。按照M2接口的定义，这些位置都是无连接的，所以直接舍弃对固态性能没有任何影响。

首先这款固态采用的方案是慧荣定制主控SM2262、南亚DDR3 512M缓存加英特尔TLC颗粒。

这个主控是英特尔向慧荣定制SM2262主控，支持PCIe 3.0 x4接口、NVMe 1.3协议、8个闪存通道（每通道最大4CE）。

760p固态硬盘使用了英特尔第二代3D TLC NAND闪存颗粒，64层堆叠，其中256G使用了两个128G的NAND颗粒。

测试平台如下，另外操作系统：Windows 10 Pro1709、驱动：英特尔ianvme驱动，关闭写入缓冲区刷新，测试盘固件：004C

使用CrystalDiskInfo信息识别，这款固态的固件版本号“004C”，采用NVME1.3标准，传输模式是PCIe3.0*4。

使用英特尔提供的工具箱软件，可以看到这款固态健康状况，预计寿命等，这一点还是不错的。

AS SSD Benmark测试，AS SSD Benchmark的跑分会受到硬件配置影响，不同配置略微有点差别。英特尔760p256G在1G测试的情况下，的连续读、写入、4K读写速度都不差，得到了2700多分的成绩。但是，在10G写入情况下，SLC缓存用完，就暴露了缺点，持续写入、4K性能下降太多，最终1400多分。

CDM测试，同样可以看到在1G情况下，读取3000，写入1260，但是在4G情况下时，写入降低太多，说明SLC缓存，可以肯定的是缓存大小在4G以内。

使用TxBENCH软件，Sequential 32队列深度读取速度3048mB/s，写入1233mB/s。在4K 队列深度1时，表现还是很厉害的63.9mB/s。（这里单位是mB/s不是MB/s）

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