电源研发吧 关注:124贴子:186
  • 0回复贴,共1

RCD吸收电路设计

只看楼主收藏回复

一、理论计算部分


  首先讲讲mos管上电压分配详细,分为4个大部分,及Vdc(母线直流电压),Vor(次级反射电压),Vds(mos管余量),Vrcd(RCD吸收电压)


  1、Vdc,及母线直流电压,Vdc=√2*Vac,Vac通常取最大值,比如宽电压的范围是90-264V,那么Vdc=√2*264


  2、Vor,次级反射电压,Vor=(Vf+Vo)*Np/Ns,Vf为二极管最大压降,Vo为最大输出电压


  3、Vds,mos管余量,Vds=Vd*10%,Vd为mos最大耐压值,比如4N65的mos,其最大耐压值为650V,那么Vds为65V,对于这个值,如果有条件的,可以多留点余量,可以取20%,但是这样做的话,自然成本又会上去。


  4、Vrcd,RCD吸收电压,通常情况下,就是Vrcd=Vd-Vdc-Vds,这里需要注意的就是RCD实际吸收的也包含反射电压Vor,计算出来的这个值就是理论的吸收电压值,但是在实际电路中,这个计算值还要留点余量,那么我们就可以将计算值按90%算,及Vrcd理论估算值为(Vd-Vdc-Vds)*90%


  理论验证,通过计算得出的结果如下:


  第一、Vrcd的计算值通常到大于Vor的1.3倍,如果小于,那么mos管的耐压值则选小了,需要用大点的。


  第二、Vd的选型要小于Vdc的2倍,如果大于,那么就是mos的余量很充足,过于浪费。


二、实际验证部分


  通过理论计算,我们已经得出了理论计算值,那么我们先假定一个RC参数,假如R=200K,C=1nf/1KV,上电测试RC上电压,上电的原则遵循由低到高的电压,先进行低压验证,然后用示波器测试R上面的电压,发现电压值小于我们上面的计算值的时候,那么设计是合理的,如果发现电压值比计算值高,那么停止上电,调整R参数,将R的阻值变小,然后上电继续测试电压,直至实际值小于计算值为止,则该RCD参数为合理,对于D的选择,选择普通的IN4007即可,电阻功率选择上,额定功率要比计算功率大两倍。


回复
1楼2014-12-25 09:49