-
-
3
-
0
-
16清货的有嘛
-
1
-
1
-
1
-
00ZMO27NO3N 真茂佳 MOS管 封装:DFN5*6; DC:21+ ;3000个/包 深圳市吉妮商贸有限公司,原装现货 ZMO27NO3N 结合了先进的技术。 低阻封装MOSFET技术 提供极低的RPS(ON)。这个装置很理想 用于负载开关和电池保护应用程序。 开关电源二次同步整流器 无刷直流电动机驱动器 深圳市吉妮商贸 真茂佳其它型号: ZMS075N10S ZMS040N10P ZM040N06P ZM050KN20D ZMS100N10S ZM270P03T ZMD68310M ZM045N03N ZM130P03M ZMJ70R380F ZM027N03N ZM071P03N ZM160P03M ZMS026N03N ZMS016N03NC ZM035P03N ZMS070N10D ZM350P10D ZM160P03D ZM060P04D ZMS07000000000SP77MF65TF替代IPW65R041CFD,650v CooIMOSm 应用充电桩、谐振开关 650v CooIMOSm CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。由此产生的器件提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供了极快且坚固的二极管体。极低的开关、换流和导通损耗与最高的鲁棒性相结合,使特别是谐振开关应用更可靠、更高效、更轻、更易冷却。000晶锭,晶圆,长晶炉,高质量高精品,需要的私01请问00概述 SM7505P是一款应用于离线式、小功率原边反馈控制开关,在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出,精度小于±3%,并可使系统节省光耦和TL431等元件,降低成本。 特性输入电压:85Vac~265Vac待机功耗小于120mW@220Vac全电压范围内,恒压精度<±3%,恒流精度<±3%集成高压启动电路集成高压功率开关原边反馈控制技术可使系统节省光耦、431等元件内置原边绕组感量补偿内置输出线压降补偿内置前沿消隐电路(LEB)逐周期峰值电流比较内置HVDD欠压保护0概述 SM1616是一种8段× 16位LED显示驱动控制专用芯片。 特性采用 CMOS 工艺工作电压:3.0V - 5.0V超强的输入端口干扰能力显示模式:8 段× 16 位辉度调节电路(占空比 8 级可调)I2C 串行总线(SCL,SDA)内置 RC 振荡内置上电复位电路封装形式:SOP28、SDIP28ESD HBM:>6KV0概述 SM16703P是单线传输的三通道LED驱动控制芯片,采用单线归零码SID数据协议。 特性内置电源钳位,支持输入电源电压 5~24VOUT R/G/B 恒流值默认 17mAOUT R/G/B 上电状态:输出电流占空比 50%OUT R/G/B 端口耐压26VOUT R/G/B 输出灰度等级:256 级同一帧显示数据同步刷新数据串联传输单线归零码SID数据协议级联数据整形后输出,防止数据衰减信号传输速率:800Kbps封装形式:SOP8001东微,MOS管,优势料号: OSG65R380FF OSG55R290DF OSS65R340JF SFG12R12GF OSS65R340FF OSG65R360DEF OSG65R580DEF SFG10R08PF OSG65R360DTF SFG10R08PF OSG65R380DTF OST75N65HSZF OSG65R360DTF OSG65R380DTF 深圳市吉妮商贸有限公司 欢迎咨询!赖生 15814087575 同V1000产品概述:RM9001DE 采用自适应 LED 三段分段驱动机制,可以灵活的设置每段 LED 串,适应不同地区的市电电压,从而提高 LED 的利用率和总输出流明数。RM9001DE 通过优化 LED 驱动电流,可以有效的提高 PF 和优化 THD。RM9001DE 具备内置过温调控功能,同时芯片具备功率补偿功能,在输出电压范围内波动时输出功率基本不变。 应用领域: LED 大功率 LED 照明产品 LED 投光灯、路灯、筒灯等 其它的 LED 照明典型 特点: 优化 LED 驱动电流达到极低的THD,满足认证要02000MOS管是一种常见的场效应管,其栅极电压的大小对其工作状态有着重要的影响。在工程实践中,有一些应用需要将MOS管的栅极电压加到较高的电压,比如15V。那么,什么样的MOS管栅极能承受15V电压呢?本文将围绕这个问题展开讨论,并提出使用微碧半导体(VBsemi)的MOS管的建议。 首先,我们需要了解MOS管的结构和工作原理。MOS管由源极、漏极和栅极组成,其中栅极与漏极之间的电场通过栅极电压控制漏极电流。在正常工作状态下,MOS管的栅极电压通0传统MOSFET是一种常见的器件结构,具有稳定可靠的特点。微碧半导体以优质的外延材料和精密的工艺流程,生产出质量稳定的传统MOSFET器件。这些器件经过严格的质量控制和测试,确保其稳定性和可靠性,能够满足各种应用的需求。 沟槽(Trench)MOSFET是一种新型垂直结构的MOSFET器件,通过对传统平面MOSFET结构进行优化发展而来。相比于传统结构,Trench MOSFET将沟槽深入硅体内,可以并联更多的元胞,从而降低导通电阻(Ron),实现更大电流的导通和更0电池管理系统(BMS)是一种能够对电池进行监控和管理的电子装备,是电池与用户之间的纽带。锂池管理系统的主要功能是实现电池单元的智能化管理及维护,通过状态监测、异常故障保护等来监管电池状态。 其中,MOSFET对锂电池板的保护作用非常大,MOS管的主要作用是检测过充电、充放电时过电电流、短路时过电电流等,NMOS产品被广泛应用于电池管理系统中。NMOS可作为电池组的主开关,同时,NMOS类型也通过电荷泵用于高端开关。在电池管理系统00